用于在加工元件时检测该元件的厚度尺寸的仪器制造技术

一种用于在磨削加工过程中检测半导体晶片（1）的厚度尺寸的仪器，该仪器包括光学探测器（3），该光学探测器将红外线辐射光束发射到被加工的晶片（1）的表面（2）上，并探测由所述表面、所述晶片的相对的表面（2’）和/或在晶片中用于分隔不同层的表面（2”，2”’）所反射的光束。发射和反射的光束沿通路（4）行进，所述通路（4）具有显著恒定的不连续性，其一部分穿过空气（15），另一部分通过基本以层流形式低速流动的液体垫（30）。所述光学探测器的支撑定位件（7）包括形成液体垫的液压管道（22，25）。一种用于检测厚度尺寸的方法包括沿发射和反射的光束的行进通路形成液体垫。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种仪器，该仪器用于在磨床上加工半导体晶片时检测该半导体晶片的厚度尺寸，所述检测仪器包括检测系统，该检测系统具有红外线光源、反射光束检测器以及光学探测器，所述光源和所述检测器连接于所述光学探测器，以沿着纵向通路朝向正在被加工的所述半导体晶片的第一表面发射红外线光束，并且基本沿着该纵向通路接收由所述第一表面和被加工的所述半导体晶片所限定的至少一个不同的表面反射的光束；支撑定位件，该支撑定位件用于支撑并定位所述光学探测器；以及控制处理单元，该控制处理单元连接于所述检测系统。本专利技术还涉及一种方法，该方法用于在磨床上加工半导体晶片时通过红外线光学探测器和该光学探测器的支撑定位件检测该半导体晶片的厚度尺寸，所述检测方法包括如下步骤经由所述光学探测器沿着纵向通路向正在被加工的所述半导体晶片的第一表面供应并传送红外线光束；通过所述纵向通路和光学探测器检测并接收由所述第一表面和被加工的所述半导体晶片所限定的至少一个不同的表面反射的光束；以及通过干涉测量系统处理反射的所述光束，以获取正在被加工的所述半导体晶片的厚度尺寸的信息。
技术介绍
在半导体薄片或半导体晶片在机床(具体为磨床和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于在磨床（6）上加工半导体晶片（1）时检测该半导体晶片（1）的厚度尺寸的仪器，该仪器包括：检测系统，该检测系统具有红外线光源（11）、检测反射光束的检测器（12）以及光学探测器（3），所述光源（11）和所述检测器（12）连接于所述光学探测器（3），以沿纵向通路（4）向被加工的所述半导体晶片（1）的第一表面（2）发射红外线光束，并沿所述纵向通路（4）接收由所述第一表面（2）和被加工的所述半导体晶片（1）所限定的至少一个不同的表面（2’，2”，2’”）反射的光束；支撑定位件（7），该支撑定位件（7）支撑并定位所述光学探测器（3），所述支撑定位件（7）限定有轴向开口（15），所述纵向通路（4）...

【技术特征摘要】
2007.07.20 IT BO2007A0005041.一种用于在磨床(6)上加工半导体晶片(I)时检测该半导体晶片(I)的厚度尺寸的仪器，该仪器包括检测系统，该检测系统具有红外线光源(11)、检测反射光束的检测器(12)以及光学探测器(3)，所述光源(11)和所述检测器(12)连接于所述光学探测器(3)，以沿纵向通路(4) 向被加工的所述半导体晶片(I)的第一表面(2)发射红外线光束，并沿所述纵向通路(4)接收由所述第一表面(2)和被加工的所述半导体晶片(I)所限定的至少一个不同的表面(2’， 2”，2’”)反射的光束；支撑定位件(7)，该支撑定位件(7)支撑并定位所述光学探测器(3)，所述支撑定位件 (7 )限定有轴向开口( 15 )，所述纵向通路(4 )包括该轴向开口( 15 )，以及控制处理单元(10)，该控制处理单元(10)连接于所述检测系统，其中，所述支撑定位件(7)包括与液体(27)的外部源相连的液压管道(22)，并且该液压管道(22)在所述光学探测器(3)与被加工的所述半导体晶片(I)的第一表面(2)之间形成层流形式...

【专利技术属性】
技术研发人员：C·达拉利奥，
申请(专利权)人：马波斯S·P·A·公司，
类型：发明
国别省市：