用于防止传感器腐蚀的方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及用于防止传感器腐蚀的方法和装置。公开了用于防止传感器腐蚀的装置及其制造方法，其中该装置包括覆盖硅传感器的金属化层（300）的绝缘层（400）和粘合层（200），其中抗腐蚀层（100）位于该粘合层（200）上。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种用于防止传感器腐蚀的装置，包括：绝缘层（400），其位于所述传感器的金属化层（300）上，所述传感器具有由硅组成的衬底层（700）；至少一个接触沟道（450），其延伸通过所述绝缘层（400）来暴露所述金属化层（300）的一部分；粘合层（200），其位于所述绝缘层（400）的一部分和所述至少一个接触沟道（450）的内表面上，所述粘合层（200）接触所述绝缘层（400）的一部分和所述金属化层（300）的一部分；以及抗腐蚀层（100），其位于所述粘合层（200）上。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：Q王，KM杰克逊，NV曼特拉瓦迪，
申请(专利权)人：通用电气公司，
类型：发明
国别省市：