【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种在半导体衬底中制备腔体的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上各向异性构图刻蚀形成多个通孔或沟槽；对所述通孔进行各向同性刻蚀以使相邻通孔或相邻沟槽的底部之间相互连通形成腔体槽；以及外延生长外延半导体衬底层以密封形成所述腔体。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张新伟，夏长奉，范成建，肖建农，苏巍，
申请(专利权)人：无锡华润上华半导体有限公司，无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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