高压半导体装置及其制备方法制造方法及图纸

高压半导体装置包括在基板表面部形成的具有第一导电型的阱区、在阱区中设置的栅极、在阱区临近栅极的表面部形成的源区、在临近栅极的阱区表面部形成的漏区和在漏区下面设置的具有第二导电型的漂移区。

【技术实现步骤摘要】

本申请大体是关于具有控制或防止次表层电流的方法或具有非均匀沟道掺杂的半导体装置。在实施例中，本申请专利技术可通过在漏区的基部上定位一个或多个漂移区且在源区的装置侧面定位一个或多个具有不同掺杂度的掺杂区来实现。技术背景本申请涉及高压半导体装置及其制备方法，更确切地，涉及横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)装置及其制备方法。在相对大的功率增益和/或相对简单的栅驱动电路下，MOS场效晶体管(MOSFET)可具有比二极晶体管相对高的输入阻抗。而且，MOSFET可以是具有基本上无时间延迟的单极装置，而时间延迟可在被关闭时由少数载流子存储和/或重组所导致。MOSFET可被用于开关电源装置、灯镇流器、电机驱动电路等。例如，使用平面扩散技术制备的DMOSFET(双扩散MOSFET)被广泛使用。由于其相对简单的结构，横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)装置可被适用于超大规模集成电路(VLSI)工艺。例如，LDMOS装置可包括n型RESURF(reduced surface field)区、p型第一掺杂区和n型第二掺杂区，它们在栅极下形成，以便于提高击穿电压并减少导通电阻(Rsp)。专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高压半导体装置，包括：阱区，其具有第一导电型，在基板的表面部形成；栅极，其设置在所述阱区上；源区，其在所述阱区临近所述栅极的第一表面部形成；漏区，其在所述阱区临近所述栅极的第二表面部形成；漂移区，其具有第二导电型，设置在所述漏区和所述阱区之间；

【技术特征摘要】
2014.09.24 KR 10-2014-01276521.一种高压半导体装置，包括：阱区，其具有第一导电型，在基板的表面部形成；栅极，其设置在所述阱区上；源区，其在所述阱区临近所述栅极的第一表面部形成；漏区，其在所述阱区临近所述栅极的第二表面部形成；漂移区，其具有第二导电型，设置在所述漏区和所述阱区之间；2.如权利要求1中所述的高压半导体装置，其中所述基板具有第二导电型。3.如权利要求1中所述的高压半导体装置，其中所述漂移区设置在所述阱区中。4.如权利要求1中所述的高压半导体装置，其中所述漏区包括：第二漂移区，其具有第一导电型，设置在所述漂移区上；第二阱区，其具有第一导电型，设置在所述第二漂移区上；以及第一掺杂区，其具有第一导电型，设置在所述第二阱区上。5.如权利要求4中所述的高压半导体装置，其中所述第二阱区至少部分围绕所述第一掺杂区，且所述第二漂移区至少部分围绕所述第二阱区。6.如权利要求4中所述的高压半导体装置，其中所述第二漂移区具有第一掺杂浓度，第一掺杂浓度高于所述阱区的掺杂浓度，所述第二阱区具有第二掺杂浓度，第二掺杂浓度高于所述第二漂移区的掺杂浓度，且所述第一掺杂区具有第三掺杂浓度，第三掺杂浓度高于所述第二阱区的掺杂浓度。7.如权利要求1中所述的高压半导体装置，其中所述源区包括：第二掺杂区，其具有第一导电型，在所述阱区的表面部形成；第三阱区，其具有第二导电型，至少部分围绕所述第二掺杂区。8.如权利要求7中所述的高压半导体装置，其中所述源区还包括第三掺杂区，其设置在所述第二掺杂区的一侧，所述第三掺杂区具有第一导电型，且其掺杂浓度低于所述第二掺杂区的掺杂浓度。9.如权利要求7中所述的高压半导体装置，其中所述源区还包括第四掺杂区，其设...

【专利技术属性】
技术研发人员：高哲柱，
申请(专利权)人：东部HITEK株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR