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高压半导体装置包括在基板表面部形成的具有第一导电型的阱区、在阱区中设置的栅极、在阱区临近栅极的表面部形成的源区、在临近栅极的阱区表面部形成的漏区和在漏区下面设置的具有第二导电型的漂移区。...
该专利属于东部HITEK株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东部HITEK株式会社授权不得商用。

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