【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种硅膜制备方法，所述方法包括：形成重掺杂的硅衬底；在所述硅衬底的第一面外延形成轻掺杂的硅膜层；利用第一蚀刻液，以蚀刻的方式在所述硅衬底的与所述第一面相对的第二面形成具有第一深度的背腔；以及利用第二蚀刻液，腐蚀所述背腔直到露出所述硅膜层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王荣华，朱琳，荆二荣，陈思奇，
申请(专利权)人：无锡华润华晶微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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