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本发明提供一种硅膜制备方法。所述方法包括形成重掺杂的硅衬底；在所述硅衬底的第一面外延形成轻掺杂的硅膜层；利用第一蚀刻液，以蚀刻的方式在所述硅衬底的与所述第一面相对的第二面形成具有第一深度的背腔；以及利用第二蚀刻液，腐蚀所述背腔直到露出所述硅...
该专利属于无锡华润华晶微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润华晶微电子有限公司授权不得商用。

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