与半导体工艺兼容的制造隔离腔体的方法及隔离腔体技术

本发明专利技术提供一种与半导体工艺兼容的制造隔离腔体的方法，包括步骤：提供腔体基底，在基底上形成导电层；依次刻蚀导电层和基底，在基底上形成槽；在导电层表面和槽侧壁与底部淀积具有导电性的保护层；去除导电层表面和槽底部的保护层，在槽侧壁形成具有导电性的侧壁保护层；以导电层和侧壁保护层为掩膜，继续刻蚀槽，形成深槽；采用湿法腐蚀法腐蚀深槽，在基底的内部形成腔体；利用电镀法，在槽的侧壁保护层之间填满填充材料，将腔体与外界隔离。本发明专利技术还提供一种隔离腔体。本发明专利技术属于正面工艺，与传统半导体工艺兼容。其实现方式简单，形成空腔后的晶圆厚度大大减小了。不但能降低制造费用，具有较好的成本优势，且与器件小型化趋势相符。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
１．一种与半导体工艺兼容的制造隔离腔体的方法，包括步骤：提供腔体基底，在所述基底上形成导电层；依次刻蚀所述导电层和所述基底，在所述基底上形成槽；在所述导电层的表面和所述槽的侧壁与底部淀积具有导电性的保护层；去除所述导电层的表面和所述槽的底部的所述保护层，在所述槽的侧壁形成具有导电性的侧壁保护层；以所述导电层和所述侧壁保护层为掩膜，继续刻蚀所述槽，形成深槽；采用湿法腐蚀法腐蚀所述深槽，在所述基底的内部形成腔体；采用电镀法，利用所述侧壁保护层的导电性，在所述槽的侧壁保护层之间填满填充材料，将所述腔体与外界隔离。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：谢志峰，张挺，邵凯，
申请(专利权)人：上海先进半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：31