【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
１．一种隔离腔体的制造方法，包括步骤：提供第一基底，在所述第一基底上刻蚀形成腔体槽；提供第二基底，通过离子注入法在所述第二基底中形成掺杂层，所述第二基底被所述掺杂层从中划分出一表层基底；将所述第一基底和所述第二基底面对面进行键合，在所述第一基底和所述第二基底之间封闭有腔体；以及以所述掺杂层为界，将所述表层基底与所述第二基底分割开，所述表层基底仍保留于所述第一基底的表面，继续与所述第一基底之间构成所述腔体。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张挺，谢志峰，邵凯，
申请(专利权)人：上海先进半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：31
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