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本发明提供一种隔离腔体的制造方法，包括步骤：提供第一基底，在第一基底上刻蚀形成腔体槽；提供第二基底，通过离子注入法在第二基底中形成掺杂层，第二基底被掺杂层从中划分出一表层基底；将第一基底和第二基底面对面进行键合，在第一基底和第二基底之间封闭...
该专利属于上海先进半导体制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海先进半导体制造股份有限公司授权不得商用。

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