ＬＤＭＯＳ晶体管及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种ＬＤＭＯＳ晶体管，包括在栅极靠近漏极的一侧下硅区域到漏极重掺杂区之间有高压浅掺杂区，高压浅掺杂区内嵌有被氧化硅包围的多晶硅结构。本发明专利技术的高压浅掺杂区上设置的浮置的多晶硅，使ＬＤＭＯＳ器件工作时的位降线弯曲，在不增加器件尺寸同时提高器件的耐压。本发明专利技术还公开了上述ＬＤＭＯＳ晶体管的制备方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种LDM0S晶体管。本专利技术还涉及LDM0S晶体管的制备方法。
技术介绍
随着半导体技术的发展，各行各业都出现了半导体的应用，这就对于 半导体有了进一步的要求。其中，高压(工作电压大于15V)场合要求半导 体可以忍受超过正常工作环境的工作电压，在这样的场合下，LDM0S (横向 扩散金属氧化物半导体晶体管)是一种常用的高压MOS晶体管结构。常见的 LDM0S晶体管结构如图1 (a) -(d)和图2 (a)所示，为栅极靠近漏极一侧下 硅区域到漏极重掺杂区之间有高压浅掺杂区，从五个图上可知，该区域的 大小在不同实施例中可以不同，可以直接设计为在衬底上的深阱结构(见 图l (b))，或者设计为在外延衬底上的阱结构(见图l (c)和(d))， 也可以通过局部的浅掺杂注入形成(图l (a)和(图2 (a))。以其中一种的施主型LDMOS (以下简称LD丽OS)为例，如图2(a)的截面 示意图和图2(b)的设计版图所示(图中N表示半导体施主型杂质，P表示半 导体受主型杂质，"+ "和"-"表示浓度的高低，即N+表示浓施主型掺杂， N-表示浅施主型掺杂，以下含义相同)。当器件工本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＬＤＭＯＳ晶体管，所述ＬＤＭＯＳ晶体管包括位于栅极靠近漏极的一侧侧墙下的硅区域到漏极重掺杂区之间的高压浅掺杂区，其特征在于：所述高压浅掺杂区内嵌有被氧化硅包围的多晶硅结构。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈俭，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]