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本发明公开了一种ＬＤＭＯＳ晶体管，包括在栅极靠近漏极的一侧下硅区域到漏极重掺杂区之间有高压浅掺杂区，高压浅掺杂区内嵌有被氧化硅包围的多晶硅结构。本发明的高压浅掺杂区上设置的浮置的多晶硅，使ＬＤＭＯＳ器件工作时的位降线弯曲，在不增加器件尺寸同...
该专利属于上海华虹ＮＥＣ电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹ＮＥＣ电子有限公司授权不得商用。

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