本发明专利技术减少发光器件的尺寸。用于闪光照相的发光器件包括：荧光氙管；ＩＧＢＴ，用于氙管的放电开关；电容器，用于对氙管进行放电；以及ＭＯＳＦＥＴ，用于电容器的充电开关。通过在封装中密封以下各项来获得这一发光器件中使用的半导体器件：ＩＧＢＴ形成于其中的半导体芯片；ＭＯＳＦＥＴ形成于其中的半导体芯片；ＩＧＢＴ的驱动电路和ＭＯＳＦＥＴ的控制电路形成于其中的半导体芯片；以及耦合到它们的多个引线。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件并且具体地涉及一种技术，该技术有效地适用于在用于闪 光照相的发光器件中使用的半导体器件。
技术介绍
近年来，内置于蜂窝电话的相机的像素数目已经越来越高，并且配备有兆像素相 机的蜂窝电话变得被广泛使用。在此环境下，用于蜂窝电话内置相机闪光照相的发光器件 已经越来越多地采用光量大的氙管而不是常规LED。日本待审专利公开号2003-21860 (专利文件1)描述一种与用于相机的闪光灯单 元有关的技术。日本待审专利公开号2005-302380 (专利文件2)描述一种与用于氙灯的驱动器电 路有关的技术。日本待审专利公开号2003-315879 (专利文件3)描述一种与具有内置式闪光灯的 相机有关的技术并且公开闪光灯电路。日本待审专利公开号2004-103995 (专利文件4)描述一种与用于控制闪光灯的 IGBT器件有关的技术。日本待审专利公开号2003-21860日本待审专利公开号2005-302380日本待审专利公开号2003-315879日本待审专利公开号2004-10399
技术实现思路
专利技术人的研究揭示如下亟需在尺寸和厚度上减小移动通信工具，比如蜂窝电话。因此对于内置于其中的 用于闪光照相的发光器件也亟需减少尺寸。当在用于闪光照相的发光器件中包括它的部件个体地装配于装配板之上时出现 问题。装配于装配板之上的部件数目增加，并且这也增加发光器件的成本以及发光器件的 平面尺度。因而为了减少整个发光器件的平面尺度，希望向包括发光器件的各部件的几何结构添加一些扭曲。在用于闪光照相的发光器件中，向各部件施加高电压，并且在氙管发光 时传递大电流。因此，为了增强发光器件的可靠性，要求在向包括发光器件的各部件的几何 结构添加扭曲时考虑高电压和大电流。本专利技术的一个目的在于增强半导体器件的特性并且具体地提供一种使得有可能 减少包括发光器件的半导体器件的尺寸的技术。根据本说明书中的描述和附图将清楚本专利技术的上述和其它目的及新颖特征。下文是本申请中揭示的本专利技术的有代表性的要素的主旨简述 在一个典型实施例中的半导体器件是一种在发光器件中使用的半导体器件，该发 光器件包括荧光放电管；用于放电管放电开关的IGBT，与放电管串联耦合；电容器，用于 对放电管进行放电，与放电管和IGBT的串联电路并联耦合；以及用于电容器充电开关的 MOSFET0这一半导体器件包括第一半导体芯片，其中形成IGBT ；第二半导体芯片，其中形 成MOSFET ；第三半导体芯片，其中形成IGBT的驱动电路和MOSFET的控制电路；以及密封第 一、第二和第三半导体芯片的密封体。下文是本申请中揭示的本专利技术的有代表性的要素所得效果的主旨简述根据一个典型实施例，有可能增强半导体器件的特性并且具体地减少包括发光器 件的半导体器件的尺寸。另外，有可能增强半导体器件、具体为包括发光器件的半导体器件的可靠性。 附图说明图1是图示了本专利技术一个实施例中的发光器件的电路的电路图；图2是图示了本专利技术一个实施例中的发光器件的整体配置的说明图；图3是图示了比较示例中的发光器件的整体配置示例的说明图；图4是本专利技术一个实施例中的半导体器件的顶视图；图5是本专利技术一个实施例中的半导体器件的底视图；图6是本专利技术一个实施例中的半导体器件的截面图；图7是本专利技术一个实施例中的半导体器件的截面图；图8是本专利技术一个实施例中的半导体器件的截面图；图9是本专利技术一个实施例中的半导体器件的截面图；图10是本专利技术一个实施例中的半导体器件的截面图；图11是本专利技术一个实施例中的半导体器件的平面透明图；图12是本专利技术一个实施例中的半导体器件的平面透明图；图13是本专利技术一个实施例中的半导体器件的平面透明图；图14是本专利技术一个实施例中的发光器件的说明图；图15是图示了本专利技术一个实施例中的半导体器件的修改的平面透明图；图16是图示了本专利技术一个实施例中的半导体器件的修改的截面图；图17是图示了本专利技术一个实施例中的半导体器件的修改的底视图；图18是图示了本专利技术一个实施例中的半导体器件的另一修改的平面透明图；图19是图示了本专利技术一个实施例中的半导体器件的另一修改的截面图；图20是图示了本专利技术一个实施例中的半导体器件的另一修改的底视图21是图示了本专利技术一个实施例中的半导体器件的另一修改的截面图；图22是本专利技术另一实施例中的半导体器件的平面透明图；图23是本专利技术另一实施例中的半导体器件的平面透明图； 图24是本专利技术另一实施例中的半导体器件的截面图；图25是本专利技术另一实施例中的半导体器件的截面图；图26是本专利技术另一实施例中的半导体器件的底视图；图27是本专利技术另一实施例中的半导体器件的平面透明图；图28是本专利技术另一实施例中的半导体器件的平面透明图；图29是本专利技术另一实施例中的半导体器件的截面图；图30是本专利技术另一实施例中的半导体器件的平面透明图；图31是本专利技术另一实施例中的半导体器件的平面透明图；图32是本专利技术另一实施例中的半导体器件的截面图；图33是本专利技术另一实施例中的半导体器件的平面透明图；图34是本专利技术另一实施例中的半导体器件的截面图；图35是本专利技术另一实施例中的半导体器件的平面透明图；图36是本专利技术另一实施例中的半导体器件的平面透明图；图37是本专利技术另一实施例中的半导体器件的平面透明图；图38是本专利技术另一实施例中的半导体器件的截面图；图39是本专利技术另一实施例中的半导体器件的底视图；图40是本专利技术另一实施例中的半导体器件的平面透明图；图41是本专利技术另一实施例中的半导体器件的平面透明图；图42是本专利技术另一实施例中的半导体器件的截面图；图43是本专利技术另一实施例中的半导体器件的截面图；图44是本专利技术一个实施例中的半导体芯片的主要部分截面图；图45是本专利技术另一实施例中的半导体芯片的主要部分截面图；图46是本专利技术一个实施例中的半导体器件在制造工艺中的截面图；图47是半导体器件在制造工艺中在图46之后的截面图；图48是半导体器件在制造工艺中在图47之后的截面图；图49是半导体器件在制造工艺中在图48之后的截面图；图50是半导体器件在制造工艺中在图49之后的截面图；图51是半导体器件在制造工艺中在图50之后的截面图；图52是本专利技术另一实施例中的半导体器件的截面图；图53是本专利技术另一实施例中的半导体器件的截面图；图54是本专利技术另一实施例中的半导体器件的截面图；图55是本专利技术另一实施例中的半导体器件的截面图；图56是本专利技术另一实施例中的半导体器件的平面透明图；图57是本专利技术另一实施例中的半导体器件的平面透明图；图58是本专利技术另一实施例中的半导体器件的底视图；图59是本专利技术另一实施例中的半导体器件的截面图60是本专利技术另一实施例中的半导体器件的截面图；图61是本专利技术另一实施例中的半导体器件的截面图；图62是本专利技术另一实施例中的半导体器件的截面图；图63是本专利技术另一实施例中的半导体器件的截面图；图64是本专利技术另一实施例中的半导体器件的平面透明图；图65是本专利技术另一实施例中的半导体器件的平面透明图； 图66是本专利技术另一实施例中的半导体器件的底视图；图67是本专利技术另一实施例中的半导体器件在制造工艺中的截面图；图68是半导体器件在制造工艺中在图67之后的截面图；图69是半导体器件在制造工艺中在图68之后的截面图；图70是半导体器件在制造工艺本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种在发光器件中使用的半导体器件，所述发光器件包括：荧光放电管；用于所述放电管放电开关的ＩＧＢＴ，与所述放电管串联耦合；电容器，与所述放电管和所述ＩＧＢＴ的串联电路并联耦合并且用于对所述放电管进行放电；以及用于所述电容器充电开关的ＭＯＳＦＥＴ，所述半导体器件包括：第一半导体芯片，其中形成所述ＩＧＢＴ；第二半导体芯片，其中形成所述ＭＯＳＦＥＴ；第三半导体芯片，其中形成所述ＩＧＢＴ的驱动电路和所述ＭＯＳＦＥＴ的控制电路；以及密封体，密封所述第一、第二和第三半导体芯片。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：河野诚，尾藤胜利，三田村笃，川野浩平，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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