芯片集成基板的制造方法技术

本发明专利技术提供一种芯片集成基板的制造方法，包括：第１步骤，在第１核心基板上形成用于与半导体芯片相连接的连线结构；第２步骤，将半导体芯片设置在第２核心基板上；第３步骤，将形成有连线结构的第１核心基板结合在设置有半导体芯片的第２核心基板上。另外，该制造方法还包括在所述第３步骤之后去除第１核心基板的步骤和在所述第３步骤之后去除第２核心基板的步骤。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种将芯片集成在基板上的。
技术介绍
目前，已开发了使用例如半导体芯片等半导体器件的高性能电子装置。而且在将半导体芯片装配在基板上的情况下，还要求高密度装配。另外，还要求具有用于装配半导体芯片的保留区域的小尺寸基板。为了满足这些要求，已经提出了将半导体芯片嵌入基板中的所谓芯片集成基板的方案，并且已经提出了多种用于将芯片集成在基板上的结构。例如，在形成芯片集成基板时，必须形成待与半导体芯片相连接的连线。作为在半导体芯片上形成连线的方法，广泛使用的是例如在半导体芯片上形成绝缘层，必要时可以层叠多层结构的绝缘层，并在绝缘层上形成连线的方法。在此情况下，当在半导体芯片上形成连线时，必须形成穿透绝缘层的通孔连线；例如使用利用激光形成通孔、并在通孔内形成通孔连线的方法(参见特开2004-165277号公报第0051段和图5)。然而，当在绝缘层中形成通孔时，需要所谓的去污工序(de-smearing process)作为形成通孔的后续工序，即需要化学处理的工序，从而存在着工艺复杂和成本提高的问题。另外，例如当形成薄型的芯片集成基板时，会发生基板弯曲而造成制造上的困难的问题。例如，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成了半导体芯片（２０５）的芯片集成基板的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：第１步骤，在第１核心基板（１０１）上形成用于与所述半导体芯片（２０５）相连接的连线结构；第２步骤，将所述半导体芯片（２０５）配置在第２核心基板 （２０１）上；和第３步骤，将形成有所述连线结构的所述第１核心基板（１０１）结合在设置有所述半导体芯片（２０５）的所述第２核心基板（２０１）上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：町田洋弘，山野孝治，
申请(专利权)人：新光电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]