【技术实现步骤摘要】
本专利技术有关一种集成电路元件，特别是有关于可保护集成电路、避免其受到从输入端传入的静电放电的损害的元件。(2)
技术介绍
对于半导体集成电路而言，长久以来存在的问题是，受到由任一外部连接接脚传入的静电放电所造成的破坏。对于此问题常见的解决方法是在静电放电入侵芯片元件的时，在端点接垫(terminal pad)上，将电流导引至接地端，不致流进内部电路造成伤害。这样通路的传统布局之一如图1所示。一拉起动作(pull-up)晶体管105有一输入端连接至集成电路的接垫(pad)101，而另外两个输入端连接至芯片的工作电压VDD。一断开(pull-down)晶体管106有一输入端连接至接垫101，而另外两个输入端连接至芯片的接地电压Vss。电阻107一端连接至拉起动作晶体管105、接垫101、断开晶体管106，另一端则连接至集成电路的输入级(input stage)。而一第二级晶体管103有一输入端连接至输入级，另两个输入端则连接至芯片的接地电压Vss。另一传统布局，特别是为了高压元件，如图2所示。一场氧元件(Field OxideDevice，FOD)102有一输入端...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种静电放电保护元件，用于具有一输入接垫(pad)的一集成电路，其特征在于，包括一拉起动作装置连接于该集成电路的一工作电压与一接地电压之间；及一第一级保护装置具有一输入端连接至该输入接垫，并具有一输出端连接至该接地电压，其中于该第一级保护装置的该输出端与该拉起动作装置共用，该第一级保护装置用以当该接地电压浮接时时，从该输入接垫通过一静电放电电流至该拉起动作装置。2.如权利要求1所述的静电放电保护元件，其特征在于，所述的拉起动作装置至少包括一金属-氧化物-半导体元件具有一发射极区域与该第一级保护装置的该输出端所共用。3.如权利要求2所述的静电放电保护元件，其特征在于，所述的金属-氧化物-半导体元件具有一集电极区域连接至该工作电压，与一基极端连接至该接地电压。4.如权利要求2所述的静电放电保护元件，其特征在于，还包括一第二级保护装置具有于该底材上的一第一闸氧化层，较该金属-氧化物-半导体元件的一第二闸氧化层厚，该第二级保护装置具有一第一端连接至该输入接垫与一第二端连接至该接地电压。5.如权利要求1所述的静电放电保护元件，其特征在于，所述的第一级保护装置至少包括一场氧元件具有一集电极区域作为该输入端与一发射极区域作为该输出端。6.如权利要求5所述的静电放电保护元件，其特征在于，所述的场氧元件包括多个多晶硅结构分布于该底材上，并位于该发射极区域与该集电极区域上方。7.一种静电放电保护元件，用于在一底材中具有一输入接垫的一集成电路，其特征在于，包括一场氧元件具有一输入端连接至该输入接垫，与一输出端连接至该集成申路的一接地电压；及一第一半导体元件具有一第一端连接至一工作电压，并具有一第二端于该底材中与该场氧元件的该输出端共用，藉以当该接地电压浮接时时，从该输入接垫经由该场氧元件通过一静电放电电流经过该第一半导体元件。8.如权利要求7所述的静电放电保护元件，其特征在于，还包括一第二半导体元件连接至该输入接垫与该接地电压。9.如权利要求8所述的静电放电保护元件，其特征在于，所述的第一半导体元件于该底材上具有一闸氧化...
【专利技术属性】
技术研发人员：缪俊伟，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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