【技术实现步骤摘要】
本专利技术有关一种平面浮动栅的制造方法及构造，特别是关于具有宽且平坦的表面的浮动栅的非挥发性存储器元件的制造方法及构造。(2)
技术介绍
最近集成电路IC逐渐往小尺寸高密度的方向发展，垂直和平行平面两者的尺寸同时缩减。在改变元件尺寸的过程中制程控制窗口和元件性质多少都会受到影响，尤其是非挥发性存储器(Non-Volatile Memory，NVM)技术深受IC元件尺寸缩小的影响。例如，最普遍的为由两多晶硅层堆叠一起而形成的非挥发性存储器(NVM)元件。该习知非挥发性存储器(NVM)元件如图1(a)至1(c)所示，其中，图1(a)是沿着字元线(Word Line，WL)方向的非挥发性存储器(NVM)截面图；图1(b)是沿着位元线(Bit Line，BL，未图示)方向的非挥发性存储器(NVM)截面图；而图1(c)则为非挥发性存储器的上视图(其中，A-A’为字元线方向，B-B’为位元线方向)。由附图可知非挥发性存储器(NVM)元件主要包含控制栅(字元线)1、浮动栅2、中间层多介电质3、场氧化层4、穿隧氧化层5、N/P发射极/集电极6、N/P井7以及间隙壁8等。其中，浮...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种平面浮动栅的制造方法，其特征在于，包括将多晶硅层间氧化物沉积覆盖于晶片表面；打开浮动栅延伸部除外的浮动栅区域以及部分蚀刻多晶硅层间氧化物；打开浮动栅上部延伸部除外的所有浮动栅区域和所有主动区。2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，是使浮动栅上部的耦合面积大于该浮动栅的底部面积。3.如权利要求1所述所述的制造方法，其特征在于，所得的该浮动栅是成「T」字形状。4.一种具平面浮动栅的非挥发性存储器元件的制造方法，其特征在于，包括下列步骤(1)使用浅渠沟隔离方法形成浅渠沟隔离；(2)形成元件的井；(3)将氧化层沉积覆盖于整个晶片表面；(4)打开包含浮动栅伸展部分的浮动栅区域以及部分蚀刻氧化层；(5)打开浮动栅伸展部分除外的所有浮动栅区域和所有主动区，然后从这些区域移除氧化层氧...
【专利技术属性】
技术研发人员：张文岳，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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