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一种平面浮动栅的制造方法，其特征在于，包括：将多晶硅层间氧化物沉积覆盖于晶片表面；打开浮动栅延伸部除外的浮动栅区域以及部分蚀刻多晶硅层间氧化物；打开浮动栅上部延伸部除外的所有浮动栅区域和所有主动区。...
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