一种用来保护高频射频集成电路避免静电放电伤害的装置制造方法及图纸

本发明专利技术是一种关于避免高频射频集成电路受到静电放电伤害的装置。此装置包含至少一个堆栈的变抗器－电感电容电路槽，以避免功率增益因静电放电电路的寄生电容而耗损。此变抗器－电感电容槽可被设计共振在射频运转频率，以避免功率增益因静电放电电路的寄生电容而耗损。多个电感电容槽能被堆栈以减少更多的功率增益耗损。反向偏压二极管是被用来作为变抗器，以达到阻抗匹配和有效的静电放电电流路径的双重目的。因为电感器是由金属制成，故当发生静电放电情况时，电感器和变抗器都可排放静电放电电流。本发明专利技术能提供射频集成电路足够高的静电放电防护能力，以避免静电放电的损伤。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于射频集成电路(radio frequency integratedcircuits，RFIC)，特别是关于一种使用于防护静电放电(electrostaticdischarge，ESD)的电抗器-电感电容槽(varactor-LC tank)的射频集成电路的静电放电保护装置。
技术介绍
因静电放电所造成的组件损害对集成电路产品来说已经成为最主要的可靠度问题的一。尤其是随着尺寸不断地缩小至深次微米的程度，金氧半导体中的闸极氧化层也越来越薄，集成电路更容易因静电放电现象而遭受破坏。在一般的工业标准中，集成电路产品的输出入接脚(I/Opin)必须能够通过2000伏特以上的人体模式静电放电测试以及200伏特以上的机械模式静电放电测试。因此，在集成电路产品中，静电放电防护组件必需设置在所有输出入焊垫(pad)附近，以保护内部的核心电路(core circuit)不受静电放电电流的侵害。静电放电是一种高能传递的瞬时过程。人体模型(human-body model，HBM)的放电过程大约100毫微秒(ns)。一般而言，静电放电发生时，几百伏特或甚至几千伏特的电压会被传送。如此高的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用来保护高频射频集成电路以避免静电放电伤害的装置，包含有：至少有一个静电放电装置在输入／输出端口内；以及至少一个变抗器－电感电容槽。

【技术特征摘要】
1.一种用来保护高频射频集成电路以避免静电放电伤害的装置，包含有至少有一个静电放电装置在输入/输出端口内；以及至少一个变抗器-电感电容槽。2.如权利要求1所述的用来保护高频射频集成电路以避免静电放电伤害的装置，其中该变抗器-电感电容槽包含至少一个具反向偏压二极管的变抗器。3.如权利要求1所述的用来保护高频射频集成电路以避免静电放电伤害的装置，其中该变抗器-电感电容槽包含一个具芯片式电感器的电感器。4.如权利要求1所述的用来保护高频射频集成电路以避免静电放电伤害的装置，其中该变抗器-电感电容包含一个具结合-电线电感器的电感器。5.如权利要求1所述的用来保护高频射频集成电路以避免静电放电伤害的装置，其中该变抗器-电感电容槽在该射频集成电路的运转频率共振。6.如权利要求1所述的用来保护高频射频集成电路以避免静电放电伤害的装置，其中复数个变抗器-电感电容槽被堆栈，并与该静电放电装置串联。7.如权利要求1所述的用来保护高频射频集成电路以避免静电放电伤害的装置，其中复数个静电放电装置被分隔，每一个静电放电装置和一个变抗器-电感电容槽串联。8.一种用来保护高频射频集成电路以避免静电放电伤害的装置，包含有一P型二极管；一第一变抗器-电感电容槽电路，以串联方式连结至该P型二极管；一第二变抗器-电感电容槽电路，以串联方式连结至该第一变抗器-电感电容槽电路；以及一N型二极管，以串联方式连结至该第二个变抗-电感电容槽电路。9.如权利要求8所述的用来保护高频射频集成电路以避免静电放电伤害的装置，其中该第一变抗器-电感电容槽电路包含至少一个变抗器-电...

【专利技术属性】
技术研发人员：柯明道，李健铭，罗文裕，
申请(专利权)人：矽统科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]