【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术有关一种金属氧化物半导体的静电放电防护,特别是有关于结合双载子晶体管的金属氧化物半导体的静电放电防护。(2)
技术介绍
静电放电(Electrostatic Discharge,ESD)是造成大多数的电子元件或电子系统受到过度电性应力(Electrical Overstress,EOS)破坏的主要因素。这种破坏会导致半导体元件以及电脑系统等,形成一种永久性的毁坏,因而影响集成电路(Integrated Circuits,ICs)的电路功能,而使得电子产品工作不正常。而静电放电破坏的产生,多是由于人为因素所形成,但又很难避免。电子元件或系统在制造、生产、组装、测试、存放、搬运等的过程中,静电会累积在人体、仪器、储放设备等中,甚至在电子元件本身也会累积静电,而人们在不知情的情况下,使这些物体相互接触,因而形了一放电路径,使得电子元件或系统遭到静电放电的伤害。根据静电放电产生的原因及其对集成电路放电的方式不同,可分为四类人体放电模式(Human-Body Model,HBM)、机器放电模式(Machine Model,MM)、元件充电模式(Charged-Device Model,CDM)及电场感应模式(Field-InducedModel,FIM)。以人体放电模式为例,对一般商用IC的2000伏特静电放电电压而言,人体的等效放电电阻定为1500欧姆,因此其电流值约为1.3安培。因此,为了避免集成电路被静电放电所损伤,在集成电路内皆有制作静电放电防护电路。静电放电防护电路是集成电路上专门用来作为静电放电防护的用的特殊电路,此静电放电防护电路提供了静电 ...
【技术保护点】
一种双载子/互补式金属氧化物半导体的静电放电防护电路,其特征在于,包含:一金属氧化物半导体晶体管;一双载子晶体管,其基极为一开放端;及一底材电阻,与该双载子晶体管串联,该串联的底材电阻/双载子晶体管则与该金属氧化物半 导体晶体管并联,其中该底材电阻与该双载子晶体管相连接的一端点还连接至该金属氧化物半导体晶体管,使跨于该底材电阻的电压让一静电电流流过该金属氧化物半导体晶体管内的一寄生双载子晶体管。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种双载子/互补式金属氧化物半导体的静电放电防护电路,其特征在于,包含一金属氧化物半导体晶体管;一双载子晶体管,其基极为一开放端;及一底材电阻,与该双载子晶体管串联,该串联的底材电阻/双载子晶体管则与该金属氧化物半导体晶体管并联,其中该底材电阻与该双载子晶体管相连接的一端点还连接至该金属氧化物半导体晶体管,使跨于该底材电阻的电压让一静电电流流过该金属氧化物半导体晶体管内的一寄生双载子晶体管。2.如权利要求1所述的双载子/互补式金属氧化物半导体的静电放电防护电路,其特征在于,所述的金属氧化物半导体晶体管是为一N型金属氧化物半导体晶体管。3.如权利要求2所述的双载子/互补式金属氧化物半导体的静电放电防护电路,其特征在于,所述底材电阻的一端点连接至该金属氧化物半导体晶体管的一栅极,所述底材电阻的另一端点连接至该金属氧化物半导体晶体管的一源极,且该金属氧化物半导体晶体管的一基底与该源极相连接。4.如权利要求2所述的双载子/互补式金属氧化物半导体的静电放电防护电路,其特征在于,所述底材电阻的一端点连接至该金属氧化物半导体晶体管的一源极,所述底材电阻的另一端点连接至该金属氧化物半导体晶体管的一基底,且该金属氧化物半导体晶体管的一栅极与该源极相连接。5.如权利要求2所述的双载子/互补式金属氧化物半导体的静电放电防护电路,其特征在于,所述底材电阻的一端点连接至该金属氧化物半导体晶体管的一栅极,所述底材电阻的另一端点连接至该金属氧化物半导体晶体管的一源极,且该金属氧化物半导体晶体管的一基底与该栅极相连接。6.如权利要求1所述的双载子/互补式金属氧化物半导体的静电放电防护电路,其特征在于,所述的金属氧化物半导体晶体管是为一P型金属氧化物半导体晶体管。7.如权利要求6所述的双载子/互补式金属氧化物半导体的静电放电防护电路,其特征在于,所述底材电阻的一端点连接至该金属氧化物半导体晶体管的一栅极,所述底材电阻的另一端点连接至该金属氧化物半导体晶体管的一漏极,且该金属氧化物半导体晶体管的一基底与该漏极相连接。8.如权利要求6所述的双载子/互补式金属氧化物半导体的静电放电防护电路,其特征在于,所述底材电阻的一端点连接至该金属氧化物半导体晶体管的一漏极,所述底材电阻的另一端点连接至该金属氧化物半导体晶体管的一基底,且该金属氧化物半导体晶体管的一栅极与该漏极相连接。9.如权利要求6所述的双载子/互补式金属氧化物半导体的静电放电防护电路,其特征在于,所述底材电阻的一端点连接至该金属氧化物半导体晶体管的一栅极,所述底材电阻的另一端点连接至该金属氧化物半导体晶体管的一漏极,且该金属氧化物半导体晶体管的一基底与该栅极相连接。10.如权利要求1所述的双载子/互补式金属氧化物半导体的静电放电防护电路,其特征在于,所述双载子晶体管与该金属氧化物半导体晶体管的连接端是连接至一第一正电压源。11.如权利要求10所述的双载子/互补式金属氧化物半导体的静电放电防护电路,其特征在于,所述底材电阻与该金属氧化物半导体晶体管的连接端是连接至一第二正电压源。12.如权利要求1所述的双载子/互补式金属氧化物半导体的静电放电防护电路,其特征在于,所述底材电阻与该金属氧化物半导体晶体管的连接端是连接至一接地端。13.如权利要求1所述的双载子/互补式金属氧化物半导体的静电放电防护电路,其特征在于,所述双载子晶体管与该金属氧...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈孝贤,
申请(专利权)人:联华电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]
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