温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一结合双载子晶体管的金属氧化物半导体的结构，以双载子晶体管来触发金属氧化物半导体来达到静电放电防护的功能。由于双载子晶体管可避免习知技艺中用ＲＣ触发的静电放电防护电路布局过大问题外，利用双载子晶体管也可以防止漏电流，及双载子晶体管...
该专利属于联华电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。