【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于一种用于半导体芯片之针脚或焊垫上之信号之时间测量的方法和装置,尤其是指半导体内存芯片,其系装置或能被装置在一半导体模块上,尤其是使用球栅数组技术,一信号藉由一合适的测量探针取得,其系由一个别的信号针脚或是一部份导体或是焊垫,其系以一短距离直接连接到后者,并且与一参考时间比较。在具有缓存器之半导体内存模块的例子中,该容量负载系缓冲加载该内存次信道总线中,且再一次提升。一PLL电路系用于更新该时脉信号,同时时脉缓冲缓存器系用以更新该命令和寻址信号(CMD-ADR总线)。为了维持该校正功能,必须确保该时脉信号可以抵达该内存模块的所有部位,其系关于一特定时间范围内,该系统时脉之时序控制,其系为PLL电路本身、缓存器以及DRAM半导体内存芯片。在某种特定的DDR内存模块的例子中,其系以一为133MHz之差动式时脉信号运算,所述之时间范围大约是-100至+100ps。因为该部分之PVT(制程电压温度)变量被认为强烈的影响该PLL电路之时脉跳动及驱动放大器之放大作用,对每一个别的内存模块来说,该DRAM半导体内存芯片之负载之影响,以及于该正及负时脉之中断层级之缓存器,必须藉由一特定时间量测来测量,以便确保该时脉信号能在该特定时间范围内抵达。在前述已知半导体芯片的例子中,侧向突出之针脚或导线(举例来说即所谓的TSOP芯片形式),于其上之该时间量测信号能直接地于该芯片之针脚藉由一适合的测量探针传递。随着第二代DRAM内存模块(DDR-II模块)运算速度之增加,其以一上升至266MHz之时脉频率运算,所谓球栅数组(BGA)技术也有转变,其能生产较佳的电性 ...
【技术保护点】
一种方法,其系用以半导体芯片之针脚或焊垫上信号之时间测量,该芯片系装置于一半导体模块(M)上,一信号藉由一测量探针(5),由一个别信号针脚或一部份导体或焊垫(2)传递,其系以一短距离由其直接连接于后者,且与一时间参考比较,其中一等效导体图案(1),其系空间地分配给欲被测量之该信号针脚或焊垫(2),且能被连接于后者,系被整合于该半导体模块(M)上,其中该等效导体图案(1)系以被动式组件(R1,R2,R3,L,C1,C2)负载,其如此选择以便,当其连接于该分离之半导体芯片之该焊垫(2)及该信号针脚,由此组件负载所产生之一等效负载电路(1’)仿真相关该信号针脚所需之该特性电子值,且该半导体芯片负载及该等效负载电路并未连接,以及其中该时间测量系于该焊垫上执行,其系连接至具有该芯片分离之该信号针脚之该等效负载电路(1’)。
【技术特征摘要】
DE 2003-2-7 10305116.31.一种方法,其系用以半导体芯片之针脚或焊垫上信号之时间测量,该芯片系装置于一半导体模块(M)上,一信号藉由一测量探针(5),由一个别信号针脚或一部份导体或焊垫(2)传递,其系以一短距离由其直接连接于后者,且与一时间参考比较,其中一等效导体图案(1),其系空间地分配给欲被测量之该信号针脚或焊垫(2),且能被连接于后者,系被整合于该半导体模块(M)上,其中该等效导体图案(1)系以被动式组件(R1,R2,R3,L,C1,C2)负载,其如此选择以便,当其连接于该分离之半导体芯片之该焊垫(2)及该信号针脚,由此组件负载所产生之一等效负载电路(1’)仿真相关该信号针脚所需之该特性电子值,且该半导体芯片负载及该等效负载电路并未连接,以及其中该时间测量系于该焊垫上执行,其系连接至具有该芯片分离之该信号针脚之该等效负载电路(1’)。2.根据权利要求第1项所述之时间测量方法,其中在该等效导体图案(1)之整合期间,其形式和电子特性系如此选择以便该最终之等效负载电路(1’)能仿真该所需之特性电子值。3.根据权利要求第1项所述之时间测量方法,其中该所需之特性电子值之建立系藉由前述于该负载半导体芯片之该信号针脚或焊垫所执行之测量,而不需连接至该等效负载电路。4.根据权利要求第1至第3项其中之一所述之时间测量方法,其中用以该等效导体图案(1)之负载之该组件(R1,R2,R3,L,C1,C2)系为阻抗及/或电容及/或电感组件。5.根据前述权利要求其中之一项所述之时间测量方法,其中该等效导体图案(1)系以此方式形成,该方式系为在该组件负载之后,其以一参考接地焊垫(3)建立一电子连接,该焊垫系与该焊垫(2)距离一小距离,其系配置给欲被测量之该信号。6.根据权利要求第5项所述之时间测量方法,其中该该参考接地焊垫(3)与该焊垫(2)之距离系如此选择以便其符合一参考接地针与该测量探针(5)之一信号测量针之距离。7.根据前述权利要求其中之一项所述之时间测量方法,其中该半导体芯片系为以或可以使用球栅数组(BGA)技术装置之半导体芯片。8.一种装置,其系用以于焊垫(2)上信号之时间测量,该焊垫系配置给一半导体模块(M)之一半导体芯片上之信号针脚,该半导体芯片系装置于该半导体模块(M)上,其中该装置具有一等效导体图案(1),其系整合于该半导体模块(M)上,其系空间地分配给欲被测量之该信号针脚或焊垫(2),且其能连接至后者,且其形式及电子特性系...
【专利技术属性】
技术研发人员:S穆夫,A巴查,
申请(专利权)人:因芬尼昂技术股份公司,
类型:发明
国别省市:DE[德国]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。