电源总线静电放电保护装置制造方法及图纸

一种集成电路装置，其特征在于，包括：　　　　一基板；　　　　一耦合至一第一集成电路接脚的第一节点；　　　　一耦合至一第二集成电路接脚的第二节点；　　　　一耦合至该第一节点的第一静电放电保护装置；以及　　　　一耦合至该第二节点的第二静电放电保护装置；　　　　其中每一静电放电保护装置包括一半导体晶体管结构，其具有一集电极区域、一发射极区域以及一通道形成于该集电极与该发射极之间；而且　　　　该第一静电放电保护装置的该集电极包括至少一个岛屿，而且该第二静电放电保护装置的该集电极不包括任何岛屿。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关一种半导体集成电路中的静电放电(electro-static discharge，ESD)保护，特别涉及一种静电放电保护电路以及使用选择性安置岛屿(island)装置的方法，以保护所选择的接脚。(2)
技术介绍
a.以NMOS(N通道金氧半)晶体管来作为静电放电保护装置N通道金氧半晶体管被广泛使用来作为静电放电保护装置。在一应用范例中，具有连接至基极驱动信号的基极的N通道金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET)被使用来作为一互补式金属氧化物半导体(CMOS)缓冲器的断开(pull-down)装置，以驱动输出电压。在另一应用范例中，具有电接地的基极的N通道金属氧化物半导体场效应晶体管被使用来保护输入接脚或电源总线于静电放电发生时。N通道金属氧化物半导体场效应晶体管的静电放电保护是与于用来传导集电极与发射极之间的大量静电放电电流的突覆(snap-back)现象十分有关。此种突覆现象是如以下所述。首先，集电极接面的高电场会导致碰撞游离(impactionization)，其产生少数载子与多数载子。少数载子流向集电极接点，而多数载子流向基板/P型井接点，造成一建立于P型本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路装置，其特征在于，包括一基板；一耦合至一第一集成电路接脚的第一节点；一耦合至一第二集成电路接脚的第二节点；一耦合至该第一节点的第一静电放电保护装置；以及一耦合至该第二节点的第二静电放电保护装置；其中每一静电放电保护装置包括一半导体晶体管结构，其具有一集电极区域、一发射极区域以及一通道形成于该集电极与该发射极之间；而且该第一静电放电保护装置的该集电极包括至少一个岛屿，而且该第二静电放电保护装置的该集电极不包括任何岛屿。2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，该至少一个岛屿是由隔离架构所形成。3.如权利要求1所述的装置，其特征在于，该至少一个岛屿具有一个结构，其至少部分地与一主动发射极/集电极区域重叠。4.如权利要求1所述的装置，其特征在于，该至少一个岛屿具有一个结构，其至少部分地由一主动区域内的一高掺杂区域所包围。5.如权利要求1所述的装置，其特征在于，该至少一个岛屿包括一掺杂区域，其具有不同于一相邻的不具有岛屿的区域的掺杂分布。6.如权利要求1所述的装置，其特征在于，该至少一个岛屿包括一导通区域，其具有不同于一相邻的不具有岛屿的区域的电阻率。7.如权利要求1所述的装置，其特征在于，一介电质部分是形成于该通道上。8.如权利要求1所述的装置，其特征在于，一多晶硅基极是形成于该介电质部分的上方。9.如权利要求1所述的装置，其特征在于，该第一集成电路接脚被耦合至一电源总线接脚，而且该第二集成电路接脚是为一输入接脚。10.如权利要求1所述的装置，其特征在于，该第一集成电路接脚被耦合至一电源总线接脚，而且该第二集成电路接脚是为一输出接脚。11.如权利要求1所述的装置，其特征在于，该第一集成电路接脚被耦合至一电源总线接脚，而且该第二集成电路接脚是为一非电源总线接脚。12.如权利要求1所述的装置，其特征在于，该第一集成电路接脚是为一输入接脚，而且该第二集成电路接脚是为一输出接脚。13.如权利要求1所述的装置，其特征在于，该第一集成电路接脚与该集成电路接脚是为相同的接脚，其中通过一电阻而被耦合至一内部电路与该第二节点的该第一节点被耦合至一第一静电放电保护装置，其是为一输出晶体管。14.如权利要求13所述的装置，其特征在于，还包括一第二静电放电保护装置，其是与该第一静电放电保护装置相邻。15.如权利要求1所述的装置，其特征在于，该装置包括一主动区域，而且该第一与该第二静电放电保护装置均被配置于相同的主动区域中。16.一种集成电路装置，其具有一基板与一具有组合式晶体管的静电放电保护装置，其特征在于，包括数个集电极区域，形成于该基板中，该数个集电极区域包括一第一组集电极区域与一第二组集电极区域；其中该第一组集电极区域的每一者包括至少一岛屿，而且该第二组集电极区域的每一者则不具有任何岛屿；以及其中该组合式晶体管被耦合于一第一节点与一第二节点之间，该第一组与该第二组集电极区域被耦合至该第一节点。17.如权利要求16所述的装置，其特征在于，该晶体管包括一主动区域，其具有一第一端与一第二端，其中该第一组集电极区域被设置相邻于该主动区域的该第一端与该第二端。18.如权利要求16所述的装置，其特征在于，该晶体管包括一主动区域，其具有一中心部分，其中该第一组集电极区域被设置于该中心部分内。19.如权利要求16所述的装置，其特征在于，还包括一保护环于该基板中，其包围该第一与该第二组集电极区域。20.如权利要求16所述的装置，其特征在于，还包括一第一主动区域与一第二主动区域，其中该第一组集电极区域被设置于该第一主动区域内，而且该第二组集电极区域被设置于该第二主动区域内。21.一种集成电路装置，其具有一组合式双极性晶体管，其特征在于，包括数个射极区域，包括一第一组射极区域与一第二组射极区域；其中该第一组射极区域的每一者包括至少一岛屿，而且该第二组射极区域的每一个则不具有任何岛屿；以及其中该组合式双...

【专利技术属性】
技术研发人员：林锡聪，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：