去除深沟渠剑山的方法技术

一种去除深沟渠剑山的方法，是用以去除在一晶片上制作深沟渠时所产生的剑山，其特征在于，包括以下步骤：　　　　于该晶片正面覆上一光阻层；　　　　对该晶片洗边至一特定范围以裸露该剑山；　　　　对该晶片进行一第一蚀刻制程，该第一蚀刻制程是为一湿式蚀刻制程，利用蚀刻液可由该晶片背面回蚀到该晶片正面的作用去除该剑山；　　　　对该晶片进行一第二蚀刻制程，该第二蚀刻制程是为一干式蚀刻制程，利用该干式蚀刻制程去除于该第一蚀刻制程中形成的氮化硅薄片；以及　　　　将该晶片正面的光阻层去除。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关一种去除剑山的方法，尤指一种去除在一晶片上制作深沟渠时所产生的剑山的方法。(2)
技术介绍
在半导体制程中，深沟渠(Deep Trench)制程的主要应用是以其广大的表面积来作为动态随机存取存储器(Dram)的电容器，然而，在晶片(Wafer)上制作深沟渠时，为了改善干蚀刻(Dry Etching)及化学机械研磨(Chemical MechanicalPolishing)在晶片边缘的一致性，于黄光微影制程时并不洗边，导致黄光在晶片边缘散焦(Defocus)，再经反应性离子蚀刻(Reactive Ion Etching)制程后产生剑山(Si-Needle)，成为一种后续制程的微粒来源(Particle Source)，并导致优良率损失达15％。请参阅图1(a)，其是习知技术去除深沟渠剑山的流程图。首先，在晶片正面覆上一光阻层以保护图案(Pattern)并洗边2mm左右，然后，使用化学干蚀刻(Chemical Dry Etching)的方式去除剑山，最后，去除该光阻层。请参阅图1(b)，其是图1(a)的晶片洗边区域示意图。其中未被光阻覆盖的区域13的深沟渠形状若无法于该化本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种去除深沟渠剑山的方法，是用以去除在一晶片上制作深沟渠时所产生的剑山，其特征在于，包括以下步骤于该晶片正面覆上一光阻层；对该晶片洗边至一特定范围以裸露该剑山；对该晶片进行一第一蚀刻制程，该第一蚀刻制程是为一湿式蚀刻制程，利用蚀刻液可由该晶片背面回蚀到该晶片正面的作用去除该剑山；对该晶片进行一第二蚀刻制程，该第二蚀刻制程是为一干式蚀刻制程，利用该干式蚀刻制程去除于该第一蚀刻制程中形成的氮化硅薄片；以及将该晶片正面的光阻层去除。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该特定范围是为离晶边1mm至2mm的距离。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该蚀刻液回蚀的区域必须与该光阻层重叠，藉以降低被该蚀刻液侵蚀的假深沟渠图案范围。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该第一蚀刻制程的步骤包括将该晶片翻转使其正面朝下并置于一晶背蚀刻机的晶片承载座上，且该晶片承载座设有多根承载臂；以该承载臂扣紧该晶片；以氮气保护该正面朝下的晶片的图案；以及以一蚀刻液蚀刻该晶片朝上的晶背，利用该蚀刻液可由该晶背回蚀到该晶片正面的作用去除该剑山。5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，该晶背蚀刻机的工作台面是以一衬垫将其垫高...

【专利技术属性】
技术研发人员：倪志荣，江家興，刘岳良，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：