半导体器件制造技术

一种半导体器件，其特征在于：　　　　具备：　　　　依次层叠了支撑基板、氧化膜层和ＳＯＩ（绝缘体上的半导体）层的ＳＯＩ衬底；以及　　　　包含在上述ＳＯＩ层上形成的栅绝缘膜、在上述栅绝缘膜上形成的栅电极、在上述ＳＯＩ层内在与上述栅电极的下方部分邻接的位置形成的源／漏有源层的ＭＩＳ（金属－绝缘体－半导体）晶体管，　　　　去除掉上述支撑基板中的至少位于上述ＭＩＳ晶体管的下方的部分，从而形成了开口部。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在半导体基板上形成的半导体器件。
技术介绍
作为现有的半导体器件之一例，有在SOI(绝缘体上的硅或绝缘体上的半导体)衬底上形成的P沟道MOS(金属-氧化物-半导体)晶体管。在SOI衬底中，依次层叠了硅基板等支撑基板、氧化膜层和SOI层。另外，P沟道MOS晶体管具有栅电极、栅绝缘膜和P型源/漏有源层。在SOI衬底上形成P沟道MOS晶体管的场合，在SOI层的表面上形成栅电极和栅绝缘膜的叠层结构，在夹着SOI层内的栅电极的下方区域的位置处形成源/漏有源层。现有的半导体器件一般被配置成使MOS晶体管的源/漏间的沟道方向与半导体晶片的晶向<110>平行。但是，通过将沟道方向配置成不与晶向<110>平行，而与晶向<100>平行，可以改变晶体管的特性。具体地说，已知借助于将沟道方向配置成与晶向<100>平行，P沟道MOS晶体管的电流驱动能力提高约15％，另外，还减小了短沟道效应(参照后面将要述及的专利文献1)。电流驱动能力提高的理由是由于空穴在晶向<100本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于具备依次层叠了支撑基板、氧化膜层和SOI(绝缘体上的半导体)层的SOI衬底；以及包含在上述SOI层上形成的栅绝缘膜、在上述栅绝缘膜上形成的栅电极、在上述SOI层内在与上述栅电极的下方部分邻接的位置形成的源/漏有源层的MIS(金属-绝缘体-半导体)晶体管，去除掉上述支撑基板中的至少位于上述MIS晶体管的下方的部分，从而形成了开口部。2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于上述开口部被上述支撑基板的4个端面包围，上述端面向上述开口部露出，上述端面全部是(111)面。3.如权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：一法师隆志，
申请(专利权)人：株式会社瑞萨科技，
类型：发明
国别省市：