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一种半导体器件，其特征在于：　　　　具备：　　　　依次层叠了支撑基板、氧化膜层和ＳＯＩ（绝缘体上的半导体）层的ＳＯＩ衬底；以及　　　　包含在上述ＳＯＩ层上形成的栅绝缘膜、在上述栅绝缘膜上形成的栅电极、在上述ＳＯＩ层内在与上述栅电极的下方部分...
该专利属于株式会社瑞萨科技所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社瑞萨科技授权不得商用。

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