【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件，特别是涉及防止切割时发生的毛刺与焊丝的电短路的半导体器件。
技术介绍
在半导体器件的制造中，首先通过在半导体衬底(晶片)的状态下对晶片的表面进行规定的处理，形成元件及布线等。一旦在晶片的状态下所应进行的全部处理结束，晶片就沿切割线被切割，切出一个个半导体芯片。对已切出的一个个半导体芯片进行包含规定的小片键合工序及焊丝键合工序等的规定的封装处理，完成半导体器件。可是，如果沿切割线切割晶片，则位于切割线区域的导电膜卷起。因此，在进行焊丝键合时，存在焊丝与卷起的导电膜的部分接触，产生电短路之类的问题。为了解决这样的问题，例如在特开平10-154670号公报、特开平11-204525号公报中提出了在进行切割前除去位于切割线区域的导电膜的制造方法。通过在切割前预先除去位于切割线区域的导电膜，就不会发生因切割而引起导电膜卷起的情况。其结果是，可防止通过焊丝与已卷起的导电膜的部分接触而引起的电短路。然而，在上述半导体器件的制造方法中，有必须在晶片的状态下设置除去位于切割线区域的导电膜用的附加的工序的问题。
技术实现思路
本专利技术是为了解决上述问题而进...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括在半导体衬底的主表面上形成规定的元件和电极部、在切割线区域残留导电膜的状态下进行切割的半导体芯片；与上述电极部连接的导线；以及覆盖住沿上述半导体芯片的周边残存的上述导电膜的部分的绝缘性片构件。2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于上述绝缘性片构件被配置成覆盖住位于上述半导体芯片的背面、上述半导体芯片的侧面和沿上述半导体芯片的周边的表面部分。3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于包括被上述绝缘性片构件覆盖的多个上述半导体芯片，多个上述半导体芯片被层叠在一起。4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于上述绝缘性片构件被配置...
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