立式MOS晶体管制造技术

提供一种实现了小型、高驱动能力、高可靠性、低成本和高成品率的立式ＭＯＳ晶体管及其制造方法。直到沟槽的中途埋置多晶硅栅极，并在其上埋入中间绝缘膜。通过刻蚀中间绝缘膜，不通过接触孔以自对准方式直接形成金属。由于没有对准偏差等的布图边缘，因此可以节省面积。此外，由于金属的完全平坦化而实现了高可靠性。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及具有沟槽结构的立式MOS晶体管及其制造方法。现有技术图2是表示已有的具有沟槽结构的立式MOS晶体管的示意剖面图。在作为漏区的第一导电型高浓度基板1上，通过外延生长形成较低浓度的第一导电型层2来制备半导体基板，从这个半导体基板的表面注入杂质并在1000℃以上的高温下热处理形成被称为主体区的第二导电型扩散区3。再从表面形成作为源区的第一导电型高浓度杂质区7以及用于通过欧姆接触固定主体区电位的第二导电型高浓度主体接触区8。这里，由于第一导电型源区和第二导电型主体接触区通常是同电位的，如图2所示，因此通过类似于表面接触的布图，同时通过在该源区上和主体接触区上设置的一个接触孔而电连接7和8。贯穿第一导电型源区刻蚀单晶硅形成硅沟槽4，在这个硅沟槽内埋置栅极绝缘膜5和作为栅电极的含有高浓度杂质的多晶硅6。此外，这个半导体基板背面的第一导电型高浓度区与漏金属电极16连接。利用上述结构，由于由背面侧的第一导电型高浓度区和第一导电型外延区形成漏区，因而具有通过沟槽侧壁的栅极绝缘膜、由被埋入沟槽内的栅极控制流向由表面侧的第一导电型高浓度区形成的源区的电流的立式MOS晶体管的功能。这种方本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种立式ＭＯＳ晶体管，其特征在于包括：第一导电型半导体基板；在所述半导体基板上形成的第一导电型外延生长层；在所述外延生长层上形成的第二导电型主体区；在所述第二导电型主体区的一部分表面上形成的第二导电型高浓度主体接触区；在所述第二导电型主体区上、在所述高浓度主体接触区以外的表面上形成的第一导电型高浓度源区；贯穿所述第二导电型主体区和所述第一导电型源区、以到达所述第一导电型外延生长层的内部的深度形成的硅沟槽；沿着所述硅沟槽的壁面及底面形成的栅极绝缘膜；在所述栅极绝缘膜的周围、直到所述第一导电型源区的深度、埋置在所述沟槽内的高浓度多晶硅栅极；在所述多晶硅栅极上、在所述硅沟槽内直到半导体基板表面埋置的...

【技术特征摘要】
JP 2003-3-19 75344/031.一种立式MOS晶体管，其特征在于包括第一导电型半导体基板；在所述半导体基板上形成的第一导电型外延生长层；在所述外延生长层上形成的第二导电型主体区；在所述第二导电型主体区的一部分表面上形成的第二导电型高浓度主体接触区；在所述第二导电型主体区上、在所述高浓度主体接触区以外的表面上形成的第一导电型高浓度源区；贯穿所述第二导电型主体区和所述第一导电型源区、以到达所述第一导电型外延生长层的内部的深度形成的硅沟槽；沿着所述硅沟槽的壁面及底面形成的栅极绝缘膜；在所述栅极绝缘膜的周围、直到所述第一导电型源区...

【专利技术属性】
技术研发人员：原田博文，
申请(专利权)人：精工电子有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]