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立式MOS晶体管制造技术
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文档序号:3207351
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提供一种实现了小型、高驱动能力、高可靠性、低成本和高成品率的立式MOS晶体管及其制造方法。直到沟槽的中途埋置多晶硅栅极,并在其上埋入中间绝缘膜。通过刻蚀中间绝缘膜,不通过接触孔以自对准方式直接形成金属。由于没有对准偏差等的布图边缘,因此可以...
该专利属于精工电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过精工电子有限公司授权不得商用。
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