【技术实现步骤摘要】
专利技术的领域本专利技术涉及具有由pn柱(column)形成的超结(super junction)(SJ)结构的半导体器件及其制造方法。专利技术的背景在用于功率应用的半导体器件领域中，包括可以设计成具有高耐压和低导通电阻的超结(SJ)结构的垂直型MOSFET公开在例如JP-A-2002-184985(专利文献1)和JP-A-2000-260984(专利文献2)中。附图说明图12示意性地示出了具有专利文献1中公开的SJ结构的垂直型MOSFET90的透视图。在半导体衬底1中形成的垂直型MOSFET90中，由pn柱形成的部分对应于SJ结构，该pn柱形成的部分包括在作为漏区的n+导电类型层11上的p导电类型区21和n导电类型区22的重复图形。特别是，图12示出了垂直型MOSFET90的一个端部，条形的p导电类型区21和条形n型导电区22的重复图形以及条形源S和条形栅G的重复图形排列在图12的右侧方向。而且，图12的左侧示出了垂直型MOSFET90的端部，形成了n型导电类型区23，其宽度大于pn柱的n型导电类型区22，使得延伸到半导体衬底1的表面。在图12中，参考数字31表示...
【技术保护点】
一种在一个半导体衬底上形成具有相同结构的多个半导体器件并且将多个半导体器件切成多个半导体器件芯片的方法，该方法包括： 在半导体衬底中形成ｐｎ柱，其中ｐｎ柱在半导体衬底内具有条形形状，其中在要形成具有相同结构的多个半导体器件的区域上的衬底表面上，ｐｎ柱具有ｐ导电类型和ｎ导电类型的重复图形； 在设置有重复图形的区域中形成具有相同结构的多个半导体器件的其余组成部件，其中ｐｎ柱用作多个半导体器件的每一个的组成部件；以及 在形成有相同结构的多个半导体器件的区域中将多个半导体器件切割成多个半导体器件芯片。
【技术特征摘要】
JP 2003-5-30 155451/20031.一种在一个半导体衬底上形成具有相同结构的多个半导体器件并且将多个半导体器件切成多个半导体器件芯片的方法，该方法包括在半导体衬底中形成pn柱，其中pn柱在半导体衬底内具有条形形状，其中在要形成具有相同结构的多个半导体器件的区域上的衬底表面上，pn柱具有p导电类型和n导电类型的重复图形；在设置有重复图形的区域中形成具有相同结构的多个半导体器件的其余组成部件，其中pn柱用作多个半导体器件的每一个的组成部件；以及在形成有相同结构的多个半导体器件的区域中将多个半导体器件切割成多个半导体器件芯片。2.一种半导体衬底，用在以下的半导体器件制造方法中由一个半导体衬底形成具有相同结构的多个半导体器件，并将半导体衬底切割成多个半导体器件芯片，该半导体衬底包括在形成具有相同结构的多个半导体器件的区域上形成的pn柱，由此在一部分衬底中pn柱具有条形形状，并且在衬底表面上具有p导电类型和n导电类型的重复图形。3.根据权利要求2的半导体衬底，其中重复图形为条形图形。4.根据权利要求2的半导体衬底，其中重复图形为对称的点状图形。5.通过在一个半导体衬底中形成具有相同结构的多个半导体器件并将半导体衬底切割成单个器件芯片从而获得的半导体器件芯片，其特征在于包括在一部分衬底中pn柱具有条形并且在衬底表面上具有p导电类型和n导电类型的重复图形，pn柱用作半导体器件芯片的一部分组...
【专利技术属性】
技术研发人员：铃木干昌，服部佳晋，中岛京子，
申请(专利权)人：株式会社电装，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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