【技术实现步骤摘要】
本专利技术一般地涉及半导体器件，更特别地涉及横向场效应晶体管(FET)结构及制造方法。
技术介绍
金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)是一种普通类型的集成电路器件。MOSFET器件包括源区、漏区、在源区与漏区之间延伸的通道区，以及在通道区上提供的栅极。栅极包括布置在通道区之上并通过薄的介电层与通道区隔开的导电栅结构。横向MOSFET器件经常用于高电压(即大于200伏特)应用，例如AC/DC电压转换中的离线开关调节器。横向MOSFET器件典型地包括由中间区或漂移区分隔的源区和漏区。栅结构布置在器件的通道区上。在开态中，电压施加到栅极，以在源区和漏区之间形成导电通道区，使电流可以流过器件。在关态中，施加到栅极的电压足够低，使得导电通道不被形成，从而不发生电流流动。在关态过程中，器件必须承受源区和漏区之间的高电压。开态电阻(On Resistance，RON)是MOSFET开关器件的品质的重要性能指标。开态电阻是当开关闭合并传递信号时，存在于MOSFET开关的输入和输出引脚之间的欧姆电阻。开态电阻与当信号通过器件时将导致多少信号衰减有关。另一个重要的品质指标...
【技术保护点】
1.一种横向IGFET器件，包括：
具有第一导电类型的半导体衬底；
包括沉积在半导体衬底上的第一和第二导电类型材料的各交替
层并具有第一主表面的半导体材料区；
从第一主表面延伸进半导体材料区的至少一部分中的第二导电
类型的漏区；
在半导体材料区的一部分中形成并从第一主表面部分地延伸进
半导体材料区中的第一导电类型的体区；
在体区中形成的第一源区；以及
在半导体材料区的一部分中形成的沟槽栅结构，其中该沟槽栅结
构控制表面下的通道区。
【技术特征摘要】
2004.03.11 US 10/797,5371.一种横向IGFET器件，包括具有第一导电类型的半导体衬底；包括沉积在半导体衬底上的第一和第二导电类型材料的各交替层并具有第一主表面的半导体材料区；从第一主表面延伸进半导体材料区的至少一部分中的第二导电类型的漏区；在半导体材料区的一部分中形成并从第一主表面部分地延伸进半导体材料区中的第一导电类型的体区；在体区中形成的第一源区；以及在半导体材料区的一部分中形成的沟槽栅结构，其中该沟槽栅结构控制表面下的通道区。2.根据权利要求1的器件，其中漏区包括填充有掺杂多晶材料的沟槽。3.根据权利要求1的器件，其中沟槽栅结构填充有第二导电类型的掺杂多晶材料，并且其中沟槽栅结构从与源区和体区的一部分相邻的第一主表面延伸进半导体材料区中，并且其中沟槽栅包括至少在沟槽栅结构的侧壁表面上形成的第一栅介电层。4.根据权利要求3的器件，还包括与侧壁表面的一部分相邻地形成的第二导电类型的第一掺杂区。5.根据权利要求1的器件，还...
【专利技术属性】
技术研发人员：拉杰施·S·奈尔，杜尚晖，泽阿·郝赛恩，穆罕默德·坦维尔·库杜斯，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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