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一种横向ＩＧＦＥＴ器件，包括：　　　　具有第一导电类型的半导体衬底；　　　　包括沉积在半导体衬底上的第一和第二导电类型材料的各交替层并具有第一主表面的半导体材料区；　　　　从第一主表面延伸进半导体材料区的至少一部分中的第二导电类型的漏区；　...
该专利属于半导体元件工业有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过半导体元件工业有限责任公司授权不得商用。

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