【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件及其制造方法。具体地,本专利技术涉及能够有效地应用到具有外部端子的半导体器件的技术,所述外部端子是通过把每一个引线的一部分从树脂密封件的后侧(安装侧)暴露出来而获得的。
技术介绍
对于通过用树脂密封安装有集成电路的半导体芯片而制造的半导体器件来说,已经提出和商业化了各种封装结构。其中一种是公知的QFN(Quad Flatpack Non-leanded Package,四边扁平无引脚封装)。由于在这种QFN类型的半导体器件的封装结构中,电连接到半导体芯片的电极的引线(引脚,lead)从树脂密封件的后表面暴露出来作为外部端子,其平面尺寸相对于QFP(四边扁平封装)半导体器件可以缩小。在QFP半导体器件的封装结构中,电连接到半导体芯片的电极的引线从树脂密封件的侧面伸出,并弯成预定的形状。在制造QFN型半导体器件时,使用引线框架。通过用精确的冲床冲压金属板并蚀刻之而形成预定的图案,从而制造出引线框架。引线框架具有多个产品形成区,产品形成区由包括外框架部分和内框架部分的框架体限定。在每一个产品形成区中,安排用于安装半导体芯片的芯片衬底(外壳(tub),晶片板(die pad),芯片安装部分),以及具有环绕所述芯片衬底的端部(一个端部)的多个引线。所述芯片衬底由悬挂引线(suspension leads)支撑,所述悬挂引线从所述引线框架的框架体延伸出来。所述引线的与所述一个端部(远端)相对的另一个端部被支撑到所述引线框架的框架体上。为了用这种引线框架制造QFN类型的半导体器件,将一个半导体芯片固定到该引线框架的芯片衬底上,将所述半导体芯片 ...
【技术保护点】
一种半导体器件,包括:一个半导体芯片,其具有多个电极,所述电极沿着其主表面的一边在该边上布置;多个引线,布置在所述半导体芯片的所述边的外侧,布置的方向与该边的方向相同;多个接合线,用于将所述半导体芯片的所述多个电极分 别电连接到所述多个引线;以及一个树脂密封件,用于密封所述半导体芯片、所述多个引线和所述多个接合线;其中,所述多个引线包括多个第一引线和多个第二引线,所述多个第一引线中的每一个具有一个端子部分,该端子部分位于所述树脂密封件的侧 面一侧并从该树脂密封件的后表面暴露出来,所述多个第二引线中的每一个具有一个端子部分,该端子部分位于所述第一引线的所述端子部分的内侧,并从所述树脂密封件的后表面暴露出来,所述第一引线和所述第二引线交替布置;其中,所述多个接合线在所述第 一引线的所述端子部分的内侧连接到各个引线上。
【技术特征摘要】
JP 2003-6-5 160647/20031.一种半导体器件,包括一个半导体芯片,其具有多个电极,所述电极沿着其主表面的一边在该边上布置;多个引线,布置在所述半导体芯片的所述边的外侧,布置的方向与该边的方向相同;多个接合线,用于将所述半导体芯片的所述多个电极分别电连接到所述多个引线;以及一个树脂密封件,用于密封所述半导体芯片、所述多个引线和所述多个接合线;其中,所述多个引线包括多个第一引线和多个第二引线,所述多个第一引线中的每一个具有一个端子部分,该端子部分位于所述树脂密封件的侧面一侧并从该树脂密封件的后表面暴露出来,所述多个第二引线中的每一个具有一个端子部分,该端子部分位于所述第一引线的所述端子部分的内侧,并从所述树脂密封件的后表面暴露出来,所述第一引线和所述第二引线交替布置;其中,所述多个接合线在所述第一引线的所述端子部分的内侧连接到各个引线上。2.如权利要求1所述的半导体器件,其中,所述多个引线从所述树脂密封件的所述侧面直着向所述半导体器件延伸。3.如权利要求1所述的半导体器件,其中,所述第一引线具有一个从它们的端子部分向所述半导体芯片延伸的部分。4.如权利要求1所述的半导体器件,其中,所述第一引线的一个端部位于它们的端子部分的半导体芯片一侧,其中,所述第二引线的一个端部位于它们的端子部分。5.如权利要求1所述的半导体器件,其中,所述多个接合线包括多个第一接合线和多个第二接合线,所述多个第一接合线用于将所述半导体芯片的所述电极电连接到相应的第一引线,所述多个第二接合线用于将所述半导体芯片的所述电极电连接到相应的第二引线,其中,所述第一接合线在所述第一引线的端子部分的半导体芯片一侧连接到所述第一引线,其中,所述第二接合线连接到所述第二引线的所述端子部分。6.如权利要求5所述的半导体器件,其中,将第一接合线连接到第一引线的导线连接部分和将第二接合线连接到第二引线的导线连接部分按照与所述多个引线的布置方向相同的方向几乎成直线地布置。7.如权利要求1所述的半导体器件,其中,所述多个接合线包括多个第一接合线和多个第二接合线,所述多个第一接合线用于将所述半导体芯片的所述电极电连接到第一引线,所述多个第二接合线用于将所述半导...
【专利技术属性】
技术研发人员:伊藤富士夫,铃木博通,今野贵史,梅原次男,
申请(专利权)人:株式会社瑞萨科技,瑞萨北日本半导体公司,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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