阵列基底及其制造方法、采用该阵列基底的液晶显示装置制造方法及图纸

阵列基底包括透明基底、像素电极、开关器件、数据线、栅极线和光阻挡层。像素电极与透明基底相隔第一距离。数据线与透明基底相隔第二距离，数据线设置在像素电极之间的区域下方。数据线电连结到源电极，并且数据线具有第一宽度。栅极线电连结到栅电极以导通／截止开关器件。对应于存储电极的光阻挡层与透明基底相隔第三距离，并且光阻挡层阻挡从像素电极之间的空间泄漏的光线。因此，不需要黑色矩阵，从而提高了孔径比。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种阵列基底、阵列基底的制造方法和具有该阵列基底的液晶显示装置。并尤其涉及一种具有增大的开口率的阵列基底、该阵列基底的制造方法和具有该阵列基底的液晶显示装置。
技术介绍
液晶显示装置利用液晶显示图像。液晶显示装置拥有很多优点，如很薄的厚度和很轻的重量等。因此液晶显示装置业已被广泛使用。液晶显示装置包括液晶板和背光组件。背光组件设置在液晶显示板的下方，为液晶显示板提供光线。液晶显示板包括彩色滤光片基底、阵列基底和夹置在彩色滤光片基底与阵列基底之间的液晶层。彩色滤光片基底包括含有红色滤光片、绿色滤光片和蓝色滤光片的彩色滤光片。彩色滤光片以矩阵形状分布。彩色滤光片对穿过像素电极的光滤光，从而透射具有特定波长的光。下面将解释传统的阵列基底。图1是说明传统液晶显示装置的平面图，图2是图1所示液晶显示装置的示意性的截面图。传统的阵列基底包括薄膜晶体管104、存储电极103a和像素电极101。薄膜晶体管104、存储电极1 03a和像素电极101与彩色滤光片基底(未示出)的彩色滤光片(未示出)相对。阵列基底还包括数据线102和栅极线105。数据线102和栅极线105设置在彩色滤光片本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基底，包括：一透明基底；多个像素电极，其呈矩阵状分布，所述像素电极与所述透明基底相隔一第一距离；多个开关器件，其包括栅电极、漏电极及源电极，所述开关器件的漏电极分别电连结到所述像素电极；一数据线，其与透明基底相隔一第二距离，所述数据线设置在所述像素电极之间的一区域下方，所述数据线电连结到所述源电极，并且所述数据线具有一第一宽度；一栅极线，其电连结到所述栅电极，以导通／截止所述开关器件；和一光阻挡图案层，其与所述透明基底相隔一第三距离，并且所述光阻挡图案层阻挡从所述像素电极之间的一空间泄漏的光。

【技术特征摘要】
KR 2003-9-25 66541/03;KR 2003-6-9 36810/031.一种阵列基底，包括一透明基底；多个像素电极，其呈矩阵状分布，所述像素电极与所述透明基底相隔一第一距离；多个开关器件，其包括栅电极、漏电极及源电极，所述开关器件的漏电极分别电连结到所述像素电极；一数据线，其与透明基底相隔一第二距离，所述数据线设置在所述像素电极之间的一区域下方，所述数据线电连结到所述源电极，并且所述数据线具有一第一宽度；一栅极线，其电连结到所述栅电极，以导通/截止所述开关器件；和一光阻挡图案层，其与所述透明基底相隔一第三距离，并且所述光阻挡图案层阻挡从所述像素电极之间的一空间泄漏的光。2.如权利要求1所述的阵列基底，其中，所述第二距离小于所述第一距离。3.如权利要求1所述的阵列基底，其中，所述第三距离小于所述第二距离。4.如权利要求1所述的阵列基底，其中，所述光阻挡图案层是一存储电极。5.如权利要求1所述的阵列基底，其中，所述栅极线和所述光阻挡图案层通过构图一相同层而形成。6.如权利要求1所述的阵列基底，其中，所述光阻挡图案层的一部分分别与彼此相邻的两个所述像素电极重叠第二和第三宽度。7.如权利要求6所述的阵列基底，其中，所述第二和第三宽度彼此不同。8.如权利要求1所述的阵列基底，其中，所述光阻挡图案层包括具有一第四宽度的一窗口，其中所述第四宽度窄于所述数据线的所述第一宽度，使得通过所述窗口的光被所述数据线阻挡。9.一种制造一阵列基底的方法，包括在一透明基底上形成一栅极线；在所述透明基底上形成一光阻挡图案层；在所述透明基底上形成具有一第一宽度的一数据线；形成包括一栅电极、一漏电极和一源电极的一开关器件，其中所述栅电极电连结到所述栅极线，所述源电极电连结到所述数据线；形成电连结到所述漏电极的一像素电极。10.如权利要求9所述的方法，其中，所述光阻挡图案层...

【专利技术属性】
技术研发人员：全珍，朴真奭，金东焕，秋教燮，梁容豪，文智慧，李源规，宋俊昊，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]