阵列基底包括透明基底、像素电极、开关器件、数据线、栅极线和光阻挡层。像素电极与透明基底相隔第一距离。数据线与透明基底相隔第二距离，数据线设置在像素电极之间的区域下方。数据线电连结到源电极，并且数据线具有第一宽度。栅极线电连结到栅电极以导通／截止开关器件。对应于存储电极的光阻挡层与透明基底相隔第三距离，并且光阻挡层阻挡从像素电极之间的空间泄漏的光线。因此，不需要黑色矩阵，从而提高了孔径比。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种阵列基底、阵列基底的制造方法和具有该阵列基底的液晶显示装置。并尤其涉及一种具有增大的开口率的阵列基底、该阵列基底的制造方法和具有该阵列基底的液晶显示装置。
技术介绍
液晶显示装置利用液晶显示图像。液晶显示装置拥有很多优点，如很薄的厚度和很轻的重量等。因此液晶显示装置业已被广泛使用。液晶显示装置包括液晶板和背光组件。背光组件设置在液晶显示板的下方，为液晶显示板提供光线。液晶显示板包括彩色滤光片基底、阵列基底和夹置在彩色滤光片基底与阵列基底之间的液晶层。彩色滤光片基底包括含有红色滤光片、绿色滤光片和蓝色滤光片的彩色滤光片。彩色滤光片以矩阵形状分布。彩色滤光片对穿过像素电极的光滤光，从而透射具有特定波长的光。下面将解释传统的阵列基底。图1是说明传统液晶显示装置的平面图，图2是图1所示液晶显示装置的示意性的截面图。传统的阵列基底包括薄膜晶体管104、存储电极103a和像素电极101。薄膜晶体管104、存储电极1 03a和像素电极101与彩色滤光片基底(未示出)的彩色滤光片(未示出)相对。阵列基底还包括数据线102和栅极线105。数据线102和栅极线105设置在彩色滤光片之间，数据线102和栅极线105沿彩色滤光片之间的区域延伸。数据线102电连结到薄膜晶体管104的源电极S，而栅极线105电连结到薄膜晶体管104的栅电极G。薄膜晶体管104的漏电极D电连结到像素电极101。当栅极电压施加到栅极线105时，电连结到栅极线105的薄膜晶体管104导通，并且数据线102的数据电压经薄膜晶体管104施加到像素电极101。当数据电压施加到像素电极101时，在像素电极101和彩色滤光片基底的公共电极(未示出)之间产生电场。因此，设置在彩色滤光片基底和阵列基底之间的液晶层(未示出)的液晶分子的排列被改变，从而调节光的透射以显示图像。存储电极103a承载由像素电极101、液晶层和公共电极形成的液晶电容器(liquid crystaj capacitor)以维持数据线压。当对像素电极101施加数据线压时，存储电极103a防止数据线电压的变化。存储电极103a可以形成在像素电极101的边缘部分。根据上述传统的阵列基底，光从数据线102和存储电极103a之间的开口106泄漏。因此，采用形成在彩色滤光片基底或阵列基底处的光阻挡层107(或黑色矩阵)，以便防止光经开口106泄漏。光阻挡层107阻挡开口106。即，在传统的液晶显示装置中，阻挡层包含在彩色滤光片基底中。例如，光阻挡层107有一个大约5μm的左边缘W4和大约6μm的右边缘W3，并且左右开口106的宽度W4约为2.5μm。结果，光阻挡层107的宽度约为22μm。因此，常规阵列基底的孔径比(aperture ratio)由于具有较宽宽度的光阻挡层而被降低。穿过开口106的光被衍射形成衍射光。因此，当光阻挡层107和开口106之间的距离增大时，光阻挡层107的宽度也增大以阻挡光线。因此，希望减小光阻挡层107和开口106之间的距离以提高孔径比。但光阻挡层107和开口106之间距离的减小由于液晶层而受到限制。因此，孔径比的提高也受到限制。另外，光阻挡层107形成在彩色滤光片基底上，并且通过组装彩色滤光片基底和阵列基底形成液晶显示装置。因此，甚至是很小的失准(minutemisalignment)也会引发光泄漏。当增大光阻挡层的边缘宽度以补偿失准时，孔径比也被降低。
技术实现思路
本专利技术提供了一种具有增大的开口率(opening ratio)的阵列基底。本专利技术还提供了一种制造该阵列基底的方法。本专利技术还提供了一种具有该阵列基底的液晶显示装置。在根据本专利技术的示例性阵列基底中，阵列基底包括透明基底、多个像素电极、多个开关器件、数据线和光阻挡图案层。像素电极呈矩阵状分布，并且像素电极与透明基底相隔第一距离。开关器件包括栅电极、漏电极及源极电极。开关器件的漏电极分别电连结到像素电极。数据线与透明基底相隔第二距离，数据线设置在像素电极之间的一区域的下方。数据线电连结到源电极，并且数据线具有第一宽度。栅极线电连结到栅电极以导通/截止开关器件。光阻挡层与透明基底相隔第三距离，并且光阻挡层阻挡从像素电极之间的空间泄漏的光线。在根据本专利技术制造阵列基底的示例性方法中，在透明基底上形成数据线，在透明基底上形成光阻挡图案层。在透明基底上还形成具有第一宽度的数据线，并且形成包含栅电极、漏电极和源电极的的开关器件，其中栅电极电连结到栅极线，漏电极和源电极电连结到数据线。然后形成电连结到漏电极的像素电极。在液晶显示装置的实例中，液晶显示装置包括彩色滤光片基底、阵列基底和液晶层。彩色滤光片基底包括彩色滤光片。阵列基底包括透明基底、多个像素电极、多个开关器件、数据线、栅极线和光阻挡图案层。像素电极呈矩阵分布，并且像素电极与透明基底相隔第一距离。开关器件包括栅电极、漏电极和源电极。开关器件的漏电分别电连结到像素电极。数据线与透明基底相隔第二距离，数据线设置在像素电极之间的一区域下方。数据线电连结到源电极，并且数据线具有第一宽度。栅极线电连结到栅电极以导通/截止开关器件。光阻挡层与透明基底相隔第三距离，光阻挡层阻挡从像素电极之间的空间泄漏的光线。液晶层夹置在彩色滤光片基底和阵列基底之间。根据本专利技术，存储电极或浮置栅(floating gate)防止光泄漏。开口和存储电极或阻挡光通过开口的浮置栅之间的距离较短，使得可以减小像素电极和存储电极的边缘宽度或像素电极和浮置栅的边缘宽度。另外，存储电极或浮置栅形成在其上形成有像素电极的基底上。因此，不需要用彩色滤光片基底和阵列基底之间失准(misalignment)的边缘来提高孔径比。附图说明通过下面结合附图详细描述实施例，本专利技术的上述及其它特点和优点将变得更加清晰，其中图1是说明传统液晶显示装置的设计图；图2是图1所示液晶显示装置的截面示意图；图3是说明阵列基底的电路示意图；图4是说明根据本专利技术第一实施例的阵列基底的设计图；图5是说明图4中所示阵列基底的截面示意图；图6是说明根据本专利技术第二实施例的阵列基底的截面示意图；图7是形成在图6中浮置栅处的开口的示范性实施例；图8是形成在图6中浮置栅处的另一开口示范性实施例；图9是根据本专利技术第三实施例的阵列基底的设计图；图10是沿图9中A-A’线所截取的截面图；和图11是沿图9中B-B’线所截取的截面图。具体实施例方式以下可以将对存储电极的解释应用于对浮置栅级的解释，反之依然。另外，可以把对存储电极和浮置栅的解释应用于设置在数据线或栅极线下面的任何元件。下面将参考附图详细描述本专利技术的优选实施例。图3是解释阵列基底的电路图。参见图3，阵列基底包括多条数据线102和多条栅极线203。数据线102在第一方向上延伸，栅极线203在基本上垂直于第一方向的第二方向上延伸。数据线102形成在与栅极线203不同的层上。数据线102和栅极线203限定一像素。该像素包括一薄膜晶体管104、一存储电容器202和由像素电极、液晶层以及公共电极限定的一液晶电容器201。薄膜晶体管104包括电连结到栅极线105的一栅电极G、电连结到数据线102的一源电极S和电连结到存储电容器202及液晶电容器201的一漏电极D。当对栅电极G时施加栅极电压时，本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种阵列基底，包括：一透明基底；多个像素电极，其呈矩阵状分布，所述像素电极与所述透明基底相隔一第一距离；多个开关器件，其包括栅电极、漏电极及源电极，所述开关器件的漏电极分别电连结到所述像素电极；一数据线，其与透明基底相隔一第二距离，所述数据线设置在所述像素电极之间的一区域下方，所述数据线电连结到所述源电极，并且所述数据线具有一第一宽度；一栅极线，其电连结到所述栅电极，以导通／截止所述开关器件；和一光阻挡图案层，其与所述透明基底相隔一第三距离，并且所述光阻挡图案层阻挡从所述像素电极之间的一空间泄漏的光。
【技术特征摘要】
KR 2003-9-25 66541/03;KR 2003-6-9 36810/031.一种阵列基底，包括一透明基底；多个像素电极，其呈矩阵状分布，所述像素电极与所述透明基底相隔一第一距离；多个开关器件，其包括栅电极、漏电极及源电极，所述开关器件的漏电极分别电连结到所述像素电极；一数据线，其与透明基底相隔一第二距离，所述数据线设置在所述像素电极之间的一区域下方，所述数据线电连结到所述源电极，并且所述数据线具有一第一宽度；一栅极线，其电连结到所述栅电极，以导通/截止所述开关器件；和一光阻挡图案层，其与所述透明基底相隔一第三距离，并且所述光阻挡图案层阻挡从所述像素电极之间的一空间泄漏的光。2.如权利要求1所述的阵列基底，其中，所述第二距离小于所述第一距离。3.如权利要求1所述的阵列基底，其中，所述第三距离小于所述第二距离。4.如权利要求1所述的阵列基底，其中，所述光阻挡图案层是一存储电极。5.如权利要求1所述的阵列基底，其中，所述栅极线和所述光阻挡图案层通过构图一相同层而形成。6.如权利要求1所述的阵列基底，其中，所述光阻挡图案层的一部分分别与彼此相邻的两个所述像素电极重叠第二和第三宽度。7.如权利要求6所述的阵列基底，其中，所述第二和第三宽度彼此不同。8.如权利要求1所述的阵列基底，其中，所述光阻挡图案层包括具有一第四宽度的一窗口，其中所述第四宽度窄于所述数据线的所述第一宽度，使得通过所述窗口的光被所述数据线阻挡。9.一种制造一阵列基底的方法，包括在一透明基底上形成一栅极线；在所述透明基底上形成一光阻挡图案层；在所述透明基底上形成具有一第一宽度的一数据线；形成包括一栅电极、一漏电极和一源电极的一开关器件，其中所述栅电极电连结到所述栅极线，所述源电极电连结到所述数据线；形成电连结到所述漏电极的一像素电极。10.如权利要求9所述的方法，其中，所述光阻挡图案层...
【专利技术属性】
技术研发人员：全珍，朴真奭，金东焕，秋教燮，梁容豪，文智慧，李源规，宋俊昊，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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