【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件，尤其涉及适用于高频放大器的半导体器件。
技术介绍
采用InGaP/GaAs异质结双极型晶体管的大功率放大器组合件，广泛应用在移动电话等方面。在此，利用InGap层作为发射极材料，与AlGaAs层相比，能提高器件的可靠性。并且，功率放大器的效率是提高连续通话时间的重要特性。提高功率放大器的效率的有效方法，有降低偏致电压Vce offset。降低偏压Vce offset的方法，可以采用和发射极一样，集电极也用宽带隙材料的双异质结双极型晶体管。但是，在集电极层采用厚的InGaP层的情况下，由于InGaP层中的电子迁移率比GaAs层中的低，所以，若把集电极层全部置换成InGaP层，则高频特性显著下降。所以，若仅仅考虑降低偏压Vce offset，则如图13所示，仅在与GaAs基极层2相连接的集电极层的一部分上，形成薄的InGaP层3，其余的集电极层用GaAs层3形成。这种结构是有效的方法。但是，在此情况下，若InGaP层3有序化，则在InGaP集电极层3和GaAs集电极层4的界面上形成“十”的界面电荷。这时的能带图示于图14内。受该界面电荷的...
【技术保护点】
一种半导体器件，其特征在于具有：由ｎ型ＧａＡｓ层构成的集电极接触层、由形成在上述集电极接触层上的ｎ型ＧａＡｓ层构成的第１集电极层、由形成在上述第１集电极层上的Ｐ型ＧａＡｓ层构成的第２集电极层、由形成在上述第２集电极层上的ｎ型ＩｎＧａＰ层构成的第３集电极层、由形成在上述第３集电极层上，杂质浓度比上述第３集电极层高的ｎ型ＩｎＧａＰ层构成的第４集电极层、由形成在上述第４集电极层上的ｎ型ＧａＡｓ层构成的第５集电极层、由形成在上述第５集电极层上的Ｐ型ＧａＡｓ层构成的基极层、以及由形成在上述基极层上的ｎ型ＩｎＧａＰ层构成的发射极层。
【技术特征摘要】
JP 2003-5-28 151380/20031.一种半导体器件，其特征在于具有由n型GaAs层构成的集电极接触层、由形成在上述集电极接触层上的n型GaAs层构成的第1集电极层、由形成在上述第1集电极层上的P型GaAs层构成的第2集电极层、由形成在上述第2集电极层上的n型InGaP层构成的第3集电极层、由形成在上述第3集电极层上，杂质浓度比上述第3集电极层高的n型InGaP层构成的第4集电极层、由形成在上述第4集电极层上的n型GaAs层构成的第5集电极层、由形成在上述第5集电极层上的P型GaAs层构成的基极层、以及由形成在上述基极层上的n型InGaP层构成的发射极层。2.一种半导体器件，其特征在于具有由n型GaAs层构成的集电极接触层、由形成在上述集电极接触层上的n型GaAs层构成的第1集电极层、由形成在上述第1集电极层上的n型InGaP层构成的第2集电极层、由形成在上述第2集电极层上，杂质浓度比上述第2集电极层高的n型InGaP层构成的第3集电极层、由形成在上述第3集电极层上的n型GaAs层构成的第4集电极层、由形成在上述第4集电极层上的P型GaAs层构成的基极层、以及由形成在上述基极层上的n型InGaP层构成的发射极层。3.一种半导体器件，其特征在于具有由n型GaAs层构成的集电极接触层、由形成在上述集电极接触层上的n型GaAs层构成的第1集电极层、由形成在上述第1集电极层上的n型AlxGa(1-x)As(X；0→Y)缓变层构成的第2集电极层、由形成在上述第2集电极层上的n型AlyGa(1-y)As层构成的第3集电极层、由形成在上述第3集电极层上的n型AlzGa(1-z)As(Z；Y→0)缓变层构成的第4集电极层、由形成在上述第4集电极层上的P型GaAs层构成的基极层、以及由形成在上述基极层上的n型InGaP层构成的发射极层。4.一种半导体器件，其特征在于具有由n型GaAs层构成的集电极接触层、由形成在上述集电极接触层上的n型GaAs层构成的第1集电极层、由形成在上述第2集电极层上的n型AlyGa(1-y)As层构成的第2集电极层、由形成在上述第1集电极层上的n型AlxGa(1-x)As(X；Y→0)缓变层构成的第3集电极层、由形成在上...
【专利技术属性】
技术研发人员：杉山亨，野津哲郎，森宏平，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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