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本发明提供一种适用于高频放大器的半导体器件，具有：由ｎ型ＧａＡｓ层构成的集电极接触层、由形成在上述集电极接触层上的ｎ型ＧａＡｓ层构成的第１集电极层、由形成在上述第１集电极层上的ｐ型ＧａＡｓ层构成的第２集电极层、由形成在上述第２集电极层上的ｎ...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

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