N型半导体层、太阳能电池、多结太阳能电池、太阳能电池模块和光伏发电系统技术方案

本文描述的实施方式总体涉及一种n型层、一种太阳能电池、一种多结太阳能电池、一种太阳能电池模块和一种光伏发电系统。根据实施方式的n型层包含非晶氧化镓作为主要成分。该n型层的导电类型为n型。在非晶氧化镓的Ga(II)位点，掺杂有含量相对于所述非晶氧化镓中包含的Ga为大于0[原子％]且小于等于67[原子％]的一种或多种镧系元素。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本文描述的实施方式总体涉及一种n型层、一种太阳能电池、一种多结太阳能电池、一种太阳能电池模块和一种光伏发电系统。

技术介绍

1、cu2o太阳能电池的特征在于使用具有高透光率的cu2o作为p型光吸收层。与cu2o层连接的n型层与cu2o层之间的相容性对于获得高透光率和优异的voc非常重要。考虑到导带的偏移，ga2o3是优选的，并且n型层的载流子掺杂对于进一步改善太阳能电池的性能是重要的。对目前已知的β-ga2o3(beta-ga2o3)的载流子源尚未完全了解，从报道中可以推断为内源性或外源性氢杂质。

2、载流子源为内源性氢的两种机制如下所示。

3、1.被氧原子捕获的间隙氢(在间隙中弱键合如-oh)(参考：非专利文献1)

4、2.ga空位形成的深受主能级的缺陷复合体(参考：非专利文献2)

5、特别地，据报道，后者可以通过在ga缺陷周围捕获的氢的多少来从受主调谐到施主(参考：非专利文献3)。因此，可以假设，通过热处理控制ga缺陷，以及控制本征氢原子和外源氢暴露，对于β-ga2o3(beta-ga2o3)的载流子生成本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种n型层，其包括：

2.根据权利要求1所述的n型层，其中，

3.根据权利要求1所述的n型层，其中，

4.根据权利要求1至3中任一项所述的n型层，其中，

5.根据权利要求1至4中任一项所述的n型层，其中，

6.根据权利要求1至5中任一项所述的n型层，其中，

7.根据权利要求1至5中任一项所述的n型层，其中，

8.根据权利要求1至5中任一项所述的n型层，其中，

9.根据权利要求1至5中任一项所述的n型层，其中，

10.根据权利要求1至9中任一项所述的n型层，其中，

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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种n型层，其包括：

2.根据权利要求1所述的n型层，其中，

3.根据权利要求1所述的n型层，其中，

4.根据权利要求1至3中任一项所述的n型层，其中，

5.根据权利要求1至4中任一项所述的n型层，其中，

6.根据权利要求1至5中任一项所述的n型层，其中，

7.根据权利要求1至5中任一项所述的n型层，其中，

8.根据权利要求1至5中任一项所述的n型层，其中，

【专利技术属性】
技术研发人员：西田靖孝，中川直之，芝崎聪一郎，保西祐弥，水野幸民，山崎六月，和田淳，吉尾纱良，山本和重，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：