半导体器件制造技术

本发明专利技术的课题是谋求封入了多个半导体芯片的半导体器件的散热性的提高。在输入侧板状引线部５上配置了控制用功率ＭＯＳＦＥＴ芯片２，在该芯片的背面上形成了漏极端子ＤＴ１，另一方面，在主面上形成了源极端子ＳＴ１和栅极端子ＧＴ１，该源极端子ＳＴ１与源极用板状引线部１２连接，此外，在输出侧板状引线部６上配置了同步用功率ＭＯＳＦＥＴ芯片３，在该芯片的背面上形成了漏极端子ＤＴ２，将输出侧板状引线部６连接到该漏极端子ＤＴ２上，再者，在同步用功率ＭＯＳＦＥＴ芯片３的主面上形成了源极端子ＳＴ２和栅极端子ＧＴ２，连接该源极端子ＳＴ２与源极用板状引线部１３，通过露出源极用板状引线部１２、１３，可提高ＭＣＭ１的散热性。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件，特别是涉及应用于在封装体中封入了多个半导体芯片的半导体器件有效的技术。
技术介绍
在现有的半导体器件中，在各半导体芯片的表面上经焊锡接合了热沉(第1导体构件)的背面，在各半导体芯片的背面上接合了第2导体构件的表面。此外，在热沉的表面上经焊锡接合了第3导体构件的背面，再者，经键合引线电连接了规定的半导体芯片的接合区(land)与控制用端子。利用树脂对各半导体芯片、热沉、第2导体构件的表面、第3导体构件的背面、键合引线和控制用端子的一部分进行了封装(例如，参照专利文献1)。此外，在上述半导体器件中，在第2导体构件的背面上经平板状的绝缘构件与外部冷却构件连接，进一步促进散热(例如，参照专利文献2)。专利文献1特开2002-110893(图1)专利文献2特开2003-46036(图1)近年来，半导体器件的高集成化及小型化得到了进展，特别是对于利用绝缘材料对多个半导体芯片进行了封装的半导体器件(被称为MCM(多芯片组件))进行了开发。在上述MCM的应用例的1个中，有用于电源电路等的开关电路。其中，在个人计算机等的信息设备中广泛地使用了绝缘型DC/DC(直流/直流)本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，其特征在于：具备分别具有输入电极、第１输出电极和第２输出电极的第１晶体管和第２晶体管，串联地连接上述第１晶体管的上述第１输出电极和上述第２输出电极的电流路径与上述第２晶体管的上述第１输出电极和上述第２输出电极 的电流路径，将上述第１晶体管的上述第１输出电极和上述第２输出电极的一方连接到第１导体构件上，将上述第１晶体管的上述第１输出电极和上述第２输出电极的另一方连接到第２导体构件上，将上述第２晶体管的上述第１输出电极和上述第 ２输出电极的另一方连接到上述第２导体构件上，　将上述第２晶体管的另一方连接到第３...

【技术特征摘要】
JP 2004-1-28 2004-0204741.一种半导体器件，其特征在于具备分别具有输入电极、第1输出电极和第2输出电极的第1晶体管和第2晶体管，串联地连接上述第1晶体管的上述第1输出电极和上述第2输出电极的电流路径与上述第2晶体管的上述第1输出电极和上述第2输出电极的电流路径，将上述第1晶体管的上述第1输出电极和上述第2输出电极的一方连接到第1导体构件上，将上述第1晶体管的上述第1输出电极和上述第2输出电极的另一方连接到第2导体构件上，将上述第2晶体管的上述第1输出电极和上述第2输出电极的另一方连接到上述第2导体构件上，将上述第2晶体管的另一方连接到第3导体构件上，对上述第1导体构件、上述第2导体构件、上述第3导体构件进行电隔离，以机械的方式使上述第1导体构件、上述第2导体构件、上述第3导体构件、上述第1晶体管、上述第2晶体管实现一体化。2.如权利要求1中所述的半导体器件，其特征在于上述第2导体构件具有大于等于2个部位的弯曲部。3.如权利要求1中所述的半导体器件，其特征在于上述第2导体构件呈大致S字形状。4.如权利要求1中所述的半导体器件，其特征在于在上述第2导体构件中连接了上述第1晶体管的输出电极的面与连接了上述第2晶体管的面处于相同的一侧。5.一种半导体器件，其特征在于具有在各自的主面上形成了端子的多个半导体芯片；与上述多个半导体芯片中的至少2个半导体芯片的端子电连接的板状导体构件；对上述多个半导体芯片进行封装的封装体；以及分别与上述多个半导体芯片电连接的多个外部连接端子，由上述板状导体构件进行了连接的上述至少2个半导体芯片分别具有晶体管电路，上述板状导体构件从上述封装体露出。6.如权利要求5中所述的半导体器件，其特征在于上述多个半导体芯片中的第1半导体芯片和第2半导体芯片分别具有电源用晶体管电路，还具有连接到上述第1半导体芯片的漏极端子上的第1板状导体构件；连接到上述第1半导体芯片的源极端子上的第2板状导体构件；连接到上述第2半导体芯片的漏极端子上的第3板状导体构件；以及连接到上述第2半导体芯片的源极端子上的第4板状导体构件，上述第2板状导体构件与上述第3板状导体构件电连接，上述第2和第3板状导体构件各自的至少一部分从上述封装体露出。7.如权利要求6中所述的半导体器件，其特征在于上述第2板状导体构件和上述第3板状导体构件一体地形成。8.如权利要求5中所述的半导体器件，其特征在于上述多个半导体芯片中的第1半导体芯片和第2半导体芯片分别具有电源用晶体管电路，第3半导体芯片具有控制上述第1和第2半导体芯片的驱动器电路。9.如权利要求6中所述的半导体器件，其特征在于上述第2和第4板状导体构件各自的一部分在上述封装体的表面背面的某一方露出，上述第1和第3板状导体构件各自的一部分在上述封装体的表面背面的另一方露出。10.如权利要求9中所述的半导体器件，其特征在于上述第2板状导体构件和上述第3板状导体构件一体地形成。11.如权利要求5中所述的半导体器件，其特征在于上述多个半导体芯片中的至少1个半导体芯片以与其它的半导体芯片表面背面相反的方向进行安装。12.如权利要求6中所述的半导体器件，其特征在于上述第2半导体芯片以与上述第1半导体芯片表面背面相反的方向进行...

【专利技术属性】
技术研发人员：川岛彻也，三岛彰，
申请(专利权)人：株式会社瑞萨科技，
类型：发明
国别省市：JP[日本]