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本发明的课题是谋求封入了多个半导体芯片的半导体器件的散热性的提高。在输入侧板状引线部５上配置了控制用功率ＭＯＳＦＥＴ芯片２，在该芯片的背面上形成了漏极端子ＤＴ１，另一方面，在主面上形成了源极端子ＳＴ１和栅极端子ＧＴ１，该源极端子ＳＴ１与源极...
该专利属于株式会社瑞萨科技所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社瑞萨科技授权不得商用。

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