从晶片背面切割以制成封装构造的方法技术

本发明专利技术涉及一种从晶圆背面切割以制成封装构造的方法，其包括：（ａ）提供一第一晶圆，该第一晶圆具有一主动面及一背面，该主动面上具有复数条切割线；（ｂ）从该主动面切割该第一晶圆，使其具有一第一参考轴及一第二参考轴，该第二参考轴垂直于该第一参考轴，而形成一参考坐标；（ｃ）提供一第二晶圆，该第二晶圆具有一上表面及一下表面；（ｄ）覆盖且接合该第二晶圆于该第一晶圆之上，该第二晶圆的下表面是面对该第一晶圆的主动面，以形成复数个空腔；及（ｅ）以该参考座标为基准，从该第一晶圆的背面切割该第一晶圆的该等切割线的相对位置，以形成个别的封装构造。其不仅加工时间短且定位方便。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种制造具有空腔的晶圆级封装构造的方法，特别是一种从晶圆背面切割以制成该封装构造的方法。
技术介绍
参考图1，其是用以说明常用制造具有空腔的晶圆级封装构造的方法，该方法包括如下步骤。首先，提供一第一晶圆10，该第一晶圆10具有一主动面12及一背面14，该主动面12上具有复数条切割线16，该等切割线16定义出复数个晶粒18，各该晶粒18上具有一环状垫块20、复数个接垫22及一微型机构24。该环状垫块20的材料通常为环氧树脂(epoxy resin)。该微型机构24位于该环状垫块20所定义的空间内，该微型机构可以是微主动元件(如集成电路、微机械元件或移动元件等)或是微被动元件(如传感器、电容器或电阻器等)。以下以微镜片组为例，该微镜片组包括一支撑构件241、一枢纽242及一微镜片243。该支撑构件241的一端连接至该晶粒18上，该枢纽242设于该支撑构件241的另一端，该微镜片243的一端连接至该枢纽242上，以使该微镜片243可以该枢纽242为中心旋转。该等接垫22位于该环状垫块20所定义的空间外，该等接垫22是于切割过程后电性连接至外部电路(图中未示)。接着，提供一第二晶圆25，该第二晶圆25具有一下表面26及一上表面28。之后，覆盖且接合该第二晶圆25于该第一晶圆10之上，以形成复数个空腔，使该微型机构24位于该空腔内。其中该第二晶圆25上的下表面26是面对该第一晶圆10的主动面12。最后，利用刀具34、36分别切割该第一晶圆10及第二晶圆25，以形成具有空腔的晶圆级封装构造38。该常用方法中，因为该第二晶圆25上的下表面26是面对该第一晶圆10的主动面12，因此当要切割第一晶圆时需由其背面14进行切割过程，然而切割线16位于主动面12上，而该第一晶圆10为不透明的材料，使得切割过程的实施会有困难。因此，有必要提供一种创新且富进步性的切割方法来解决上述问题。
技术实现思路
本专利技术的主要目的是在晶圆的主动面切割出两垂直的参考轴而形成一参考座标，再以该参考座标为基准从背面切割该晶圆，其不仅加工时间短且定位方便。本专利技术的另一目的是一种从晶圆背面切割的方法，其包括以下步骤(a)提供一晶圆，该晶圆具有一主动面及一背面，该主动面上具有复数条第一方向及第二方向交错排列而成的切割线，该等切割线定义出复数个晶粒。(b)从该主动面分别于两垂直方向切掉该晶圆圆周的一小部分，使该晶圆具有互相垂直的一第一斜面及一第二斜面，而形成一参考座标，该第一斜面平行于该第一方向切割线，该第二斜面平行于该第二方向切割线，该第一及第二斜面与该等晶粒间分别具有一预设距离。(c)以该参考座标为基准，根据该预设距离从该背面切割该晶圆的该等切割线的相对位置。本专利技术另外提供一种制成封装构造的方法，其包括以下步骤(a)提供一第一晶圆，该第一晶圆具有一主动面及一背面，该主动面上具有复数条切割线，该等切割线定义出复数个晶粒，各该晶粒上具有一环状垫块。(b)从该主动面切割该第一晶圆，使其具有一第一参考轴及一第二参考轴，该第一及第二参考轴与该等晶粒间分别具有一预设距离，该第二参考轴垂直于该第一参考轴，而形成一参考座标。(c)提供一第二晶圆，该第二晶圆具有一上表面及一下表面。(d)覆盖且接合该第二晶圆于该第一晶圆之上，该第二晶圆的下表面是面对该第一晶圆的主动面，以形成复数个空腔。(e)以该参考座标为基准，根据该预设距离从该第一晶圆的背面切割该第一晶圆的该等切割线的相对位置，以形成个别的封装构造。附图说明图1显示常用制造具有空腔的晶圆级封装构造的剖视示意图；图2显示根据本专利技术第一实施例的第一晶圆的俯视示意图；图3显示图2的晶圆被切割出一参考座标；图4显示根据本专利技术第一实施例的第一晶圆覆盖第二晶圆后的仰视示意图；及图5显示根据本专利技术第二实施例的第一晶圆的示意图。具体实施例方式根据本专利技术制造具有空腔的晶圆级封装构造的方法包括如下步骤。在此，不同图式中的相同元件被赋予相同编号。首先，提供一第一晶圆10，如图2所示。该第一晶圆10为硅晶圆。请一并同时参考图1，该第一晶圆10具有一主动面12及一背面14，该主动面12上具有复数条切割线16。该等切割线16是由复数条第一方向(图中的x方向)切割线161及复数条第二方向(图中的y方向)切割线162交错排列而成，而定义出复数个晶粒18，该晶粒18为CMOS。各该晶粒18上具有一环状垫块20、复数个接垫22及一微型机构24。该环状垫块20的材料为环氧树脂(epoxy resin)。该微型机构24位于该环状垫块20所定义的空间内，该微型机构可以是微主动元件(如集成电路、微机械元件或移动元件等)或是微被动元件(如传感器、电容器或电阻器等)。以下以微镜片组为例，该微镜片组包括一支撑构件241、一枢纽242及一微镜片243。该支撑构件241的一端连接至该晶粒18上，该枢纽242是设于该支撑构件241的另一端，该微镜片243的一端连接至该枢纽242上，以使该微镜片243可以该枢纽242为中心旋转。该微镜片组设置于CMOS的一存储单元(图中未示)上，藉由该存储单元的逻辑层次，可以控制所对应的微镜片243的转动。该等接垫22位于该环状垫块20所定义的空间外，该等接垫22是于切割过程后电性连接至外部电路(图中未示)。接着，同时参考图3，其说明从该主动面12切割该硅晶圆10。该切割方式是从最下方的第一方向切割线163起算一预设距离，利用刀具切掉该第一晶圆10下方圆周的一小部分而形成一斜面(chamfer)46，该斜面46平行于该第一方向切割线161，且该斜面46及其延伸的方向定义为第一参考轴(亦即x轴)。再从最右方的第二方向切割线164起算一预设距离，利用刀具切掉该第一晶圆10右方圆周的一小部分而形成一斜面48，该斜面48平行于该第二方向切割线162，且该斜面48及其延伸的方向定义为第二参考轴(亦即y轴)。该第二参考轴垂直于该第一参考轴，而形成一参考座标。接着，再参考图1，提供一第二晶圆25。该第二晶圆25为一透明的玻璃晶圆。该第二晶圆25具有一下表面26及一上表面28。在本实施例中，将上述微型机构24设于该晶粒18，然而在其它应用中，该微型机构24亦可设于该第二晶圆25之下表面26上。接着，覆盖且接合该第二晶圆25于该第一晶圆10之上，以形成复数个空腔，使该微型机构24位于该空腔内，如图1所示。在本实施例中，该第一晶圆10与第二晶圆25是利用热压法接合，然而所属领域的技术人员可以利用其它常规的方式将该第二晶圆25接合于该第一晶圆10之上。接合时，该第二晶圆25上的下表面26是面对该第一晶圆10的主动面12。接着，参考图4，以该参考座标为基准，根据该预设距离从该第一晶圆10的背面14切割该第一晶圆10的切割线16的相对位置。如欲做x方向的切割，只需将刀具从第一参考轴往上移动上述的预设距离即可切割最下方的第一方向切割线163的相对位置，再将刀具移动晶粒18的宽度即可切割下一条第一方向切割线163的相对位置。同样地，Y方向的切割也可依此方式达成。需注意的是，在此的切割深度小于该第一晶圆10的厚度，也就是刀具并不切穿该第一晶圆10。接着，因为第二晶圆25为透明的玻璃晶圆，因此可以根据该第一晶圆10的切割线16直接从该第二晶圆25的上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制成封装构造的方法，其包括：（ａ）提供一第一晶圆，所述第一晶圆具有一主动面及一背面，所述主动面上具有复数条切割线，所述切割线定义出复数个晶粒，各所述晶粒上具有一环状垫块；（ｂ）从所述主动面切割所述第一晶圆，使其具有一第一 参考轴及一第二参考轴，所述第一及第二参考轴与所述晶粒间分别具有一预设距离，所述第二参考轴垂直于所述第一参考轴，而形成一参考座标；（ｃ）提供一第二晶圆，所述第二晶圆具有一上表面及一下表面；（ｄ）覆盖且接合所述第二晶圆于所述第一 晶圆之上，所述第二晶圆的下表面是面对所述第一晶圆的主动面，以形成复数个空腔；及（ｅ）以所述参考座标为基准，根据所述预设距离从所述第一晶圆的背面切割所述第一晶圆的所述切割线的相对位置，以形成个别的封装构造。

【技术特征摘要】
1.一种制成封装构造的方法，其包括(a)提供一第一晶圆，所述第一晶圆具有一主动面及一背面，所述主动面上具有复数条切割线，所述切割线定义出复数个晶粒，各所述晶粒上具有一环状垫块；(b)从所述主动面切割所述第一晶圆，使其具有一第一参考轴及一第二参考轴，所述第一及第二参考轴与所述晶粒间分别具有一预设距离，所述第二参考轴垂直于所述第一参考轴，而形成一参考座标；(c)提供一第二晶圆，所述第二晶圆具有一上表面及一下表面；(d)覆盖且接合所述第二晶圆于所述第一晶圆之上，所述第二晶圆的下表面是面对所述第一晶圆的主动面，以形成复数个空腔；及(e)以所述参考座标为基准，根据所述预设距离从所述第一晶圆的背面切割所述第一晶圆的所述切割线的相对位置，以形成个别的封装构造。2.根据权利要求1所述的方法，其中，各所述晶粒为一CMOS。3.根据权利要求2所述的方法，其中，各所述晶粒上更包括复数个接垫，其位于所述环状垫块所定义的空间外，所述接垫是于切割过程后电性连接至外部电路。4.根据权利要求2所述的方法，其中，各所述晶粒上更包括一微型机构，其位于所述空腔内，且连接至所述晶粒上。5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述微型机构具有至少一个微镜片组，每一所述微镜片组包括一支撑构件，所述支撑构件的一端连接至所述晶粒上；一枢纽，其是设于所述支撑构件的另一端；及一微镜片，所述微镜片的一端连接至所述枢纽上，以使所述微镜片可以所述枢纽为中心旋转。6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述环状垫块的材料为环氧树脂。7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述切割线是由复数条第一方向切割线及复数条第二方向切割线交错排列而成，且所述第一参考轴平行于所述第一方向切割线，所述第二参考轴平行于所述第二方向切割线。8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一及第二参考轴分别为一斜面，所述斜面是由刀具切掉所述第一晶圆圆周的一小部分而成。9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一及第二参考轴组合形成一缺口，所述缺口是由刀具切掉所述第一晶圆的一90°扇形部分而成。10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一晶圆为硅晶圆，所述第二晶圆为透明的玻璃晶圆。11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二晶圆的下表面上更包括复数个微型机构，其位于所述空腔内，且连接至所述第二晶圆。12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述微型机构具有至少一个微镜片组，每一所述微镜片组包括一支撑构件，所述支撑构件的一端连接至所述第二晶圆上；一枢纽，其设于所述支撑构件的另一端；及一微镜片，所述微镜片的一端连接至所述枢纽上，以使所述微镜片可以所述枢纽为中心旋转。13.根据权利要求1所述的方法，其中步骤(d)中，所述第一晶圆与所述第二晶圆是利用热压法接合。14.根据权利要求1所述的方法，其中步骤(e)中的切割深度小于所述第一晶圆的厚度；且步骤(e)之后更包括(e1)从所述第二晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：余国宠，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]