【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种借助于一系列处理步骤实施半导体晶片湿化学表面处理的方法，其中多种液体作用于半导体晶片表面。
技术介绍
由于电子元件的制造中的日益小型化，因此对半导体材料、尤其通常以晶片形式使用的硅的表面品质的要求也更高。此品质要求不仅是表面的几何形状品质，而且包括其纯度、化学条件及不含颗粒及斑点。为使这些参数可用重复的方式加以影响及控制，特别发展出湿化学表面处理方法。这些方法特别于研磨、精研或抛光等机械表面处理之后使用。依照现有技术，这些方法的特征为通过一系列处理步骤，不同水性、酸性或碱性液体和/或连同气体的液体在表面上产生作用。湿化学表面处理方法是与除去表面材料有关，也称蚀刻方法。在半导体晶片蚀刻实际应用中有两种蚀刻方法，该两种方法与使用碱性或酸性液体有关通过下列反应方程式可将碱性蚀刻加以说明(以硅的实例为基准) 为制得无任何斑点的晶片及达成足够高的材料除去率，该方法必须在高温下实施。这些温度是最低设定在100℃，因为较低温度会导致形成斑点，这些斑点仅可通过另一抛光步骤再度予以除去，因而增加半导体晶片的生产成本。碱性蚀刻作用通常是在机械材料除去步骤如精研...
【技术保护点】
一种用于半导体晶片的湿化学表面处理方法，其中所述半导体晶片－用酸性液体处理，由该半导体晶片的每个表面除去至多１０微米的材料，然后－用碱性液体处理，除去至少足够的材料，以便完全除去经先前机械处理损伤的晶体区。
【技术特征摘要】
DE 2003-6-26 10328845.71.一种用于半导体晶片的湿化学表面处理方法，其中所述半导体晶片—用酸性液体处理，由该半导体晶片的每个表面除去至多10微米的材料，然后—用碱性液体处理，除去至少足够的材料，以便完全除去经先前机械处理损伤的晶体区。2.如权利要求1的方法，其中在用碱性液体处理之前，所述半导体晶片用适于除去附着在半导体晶片表面的颗粒的第一清洗液体处理至少一次。3.如权利要求1或2的方法，其中就在用碱性液体处理之前，所述半导体晶片用适于由半导体晶片表面除去金属杂质的第二清洗液体处理。4.如权利要求3的方法，其中在步骤a)至e)内依序使用下列液体处理半导体晶片表面a)使用第一清洗液体，该液体适于除去附着在半导体晶片表面的颗粒，b)使用酸性液体，由该半导体晶片的每个表面除去至多10微米的材料，c)使用所述第一清洗液体，d)使用第二清洗液体，该液...
【专利技术属性】
技术研发人员：京特施瓦布，赫尔穆特弗兰克，赫尔穆特帕尔策，曼弗雷德舍夫贝格尔，马克西米利安施塔德勒，
申请(专利权)人：硅电子股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]
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