半导体器件制造技术

本发明专利技术涉及半导体存储器件，包括用于产生高压并将产生的高压施加到存储单元的高压发生器，用于将高压发生器的输出电压转换为数字信号的转换器，和用于将转换器的输出或存储单元的输出选择性地通过Ｉ／Ｏ端子输出的模式选择单元。

【技术实现步骤摘要】
半导休器伴相关申请的交叉引用本专利技术要求2006年9月29日申请的韩国专利申请10-2006-96210的优 5 先权，其全部引入作为参考。
技术介绍
本专利技术涉及半导体器件，更特别地涉及甚至能在封装之后测试 高压的半导体器件。通常，在使用高压的半导体器件中，在其中形成元件的晶片上 i o 测试和测量高压。这是在封装以前通过进行测试而确定高压是否异常 的方法。 一般使用探头测量高压。根据图l中所述的流程图测量高压。图l是说明测量常规半导体器件高压的方法的流程图。 一般的高 压测试包括测试模式设置步骤Pll，高压发生器使能步骤P12，高压测 量比特使能步骤P13,测量垫(measuring pad)测量步骤P14,和高 15 压发生器禁止步骤P15。尤其是，在步骤P11中将目标半导体器件设置为测试模式。此时， 在封装之前在晶片上测试半导体器件。在步骤P12中，使用高压发生 器使能测试信号。在步骤P13使能高压测试的测量比特信号。在步骤 P14中，测量垫比较高压测量比特和基准信号电平以测量差值，这测 20 试高压。测量之后，在步骤P15禁止高压发生器，如此结束高压测试。根据图l中说明的流程本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体存储器件，包括：　　　　产生高压并将所述产生的高压施加到存储单元的高压发生器；　　　　将所述高压发生器的输出电压转换为数字信号的转换器；和　　　　模式选择单元，其通过Ｉ／Ｏ端子选择性地输出转换器的输出或存储单元的输出。

【技术特征摘要】
KR 2006-9-29 10-2006-00962101.一种半导体存储器件，包括产生高压并将所述产生的高压施加到存储单元的高压发生器；将所述高压发生器的输出电压转换为数字信号的转换器；和模式选择单元，其通过I/O端子选择性地输出转换器的输出或存储单元的输出。2. 如权利要求l的半导体存储器件，其中所述转换器包括响应模式选择信号而将所述高压发生器的输出电压作为测试高 压来输出的高压开关；io 响应模式选择信号而根据测试比特数据产生基准电压的基准电 压发生单元；比较所述测试高压和所述基准电压并输出比较电压的比较器， 其中所述比较电压是数字信号；和存储所述比较电压的移位寄存器。153. 如权利要求2的半导体存储器件，其中所述基准电压发生单 元包括基准电压比较器，响应模式选择信号而输出基准输出电压；和 可变电阻，根据所述测试比特数据控制所述基准电压。204. 如权利要求2的半导体存储器件，其中所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：元嘇规，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]