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本发明涉及半导体存储器件，包括用于产生高压并将产生的高压施加到存储单元的高压发生器，用于将高压发生器的输出电压转换为数字信号的转换器，和用于将转换器的输出或存储单元的输出选择性地通过Ｉ／Ｏ端子输出的模式选择单元。...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

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