测量静态随机存储器的读取电流的结构及方法技术

本发明专利技术提供一种测量静态随机存储器的读取电流的结构以及方法，用于测量静态随机存储器存储阵列中各个静态随机存储器的读取电流，其中任意一个所述静态随机存储器中的相邻晶体管串联在一起，所述晶体管的栅极连接在一起并构成第一端子，所述晶体管未串联的源／漏端分别连出构成第二以及第三端子，Ｐ型阱区连出构成第四端子，由所述第一至第四端子形成一串联的晶体管，其中，所述串联的晶体管的工作电流即为待测量静态随机存储器的读取电流。通过本发明专利技术的测量静态随机存储器的读取电流的结构以及方法，可以有效地测量并判断ＳＲＡＭ单元的电特性是否符合要求，且具有简单易实现的优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及测试存储阵列质量的方法，具体的说，涉及一种测量静态随 机存储器的读取电流的结构以及方法。
技术介绍
静态随4踏储器(Static Random Access Memory, SRAM)存储阵列在现 代超大规模集成电路芯片中应用非常广泛，存储阵列质量的好差对集成电路 芯片具有决定性的影响，因此构成存储阵列的静态随机存储器SRAM单元的 电特性变得非常重要。在SRAM存储单元的各项参数中读取电流是一个非常重要的参数指标， 读取电流可以在一定程度上反映SRAM存储单元的工作速度快慢，并且可以 用来判断SRAM单元是否符合电特性的要求，因此，设计一种测量SRAM 存储单元的读取电流的方法以及结构也成为业界的一个研究热点。
技术实现思路
本专利技术的主要目的是提供一种测量静态随机存储器的读取电流的结构以 及方法，其可以有效地测量SRAM存储单元的读取电流，以判断相关电特性 是否符合要求。为达到上述目的，本专利技术提供一种测量静态随机存储器的读取电流的结 构，用于测量静态随机存储器存储阵列中各个静态随机存储器的读取电流， 其中，任意一个所述静态随机存储器中的相邻晶体管串联在一起，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种测量静态随机存储器的读取电流的结构，用于测量静态随机存储器存储阵列中各个静态随机存储器的读取电流，其特征在于，任意一个所述静态随机存储器中的相邻晶体管串联在一起，所述晶体管的栅极连接在一起并构成第一端子，所述晶体管未串联的源／漏端分别连出构成第二以及第三端子，Ｐ型阱区连出构成第四端子，由所述第一至第四端子形成一串联的晶体管，其中，所述串联的晶体管的工作电流即为待测量静态随机存储器的读取电流。

【技术特征摘要】
1、一种测量静态随机存储器的读取电流的结构，用于测量静态随机存储器存储阵列中各个静态随机存储器的读取电流，其特征在于，任意一个所述静态随机存储器中的相邻晶体管串联在一起，所述晶体管的栅极连接在一起并构成第一端子，所述晶体管未串联的源/漏端分别连出构成第二以及第三端子，P型阱区连出构成第四端子，由所述第一至第四端子形成一串联的晶体管，其中，所述串联的晶体管的工作电流即为待测量静态随机存储器的读取电流。2、 根据权利要求1所述的测量静态随机存储器的读取电流的结构，其特 征在于，所述相邻晶体管为下拉晶体管以及读取晶体管。3、 根据权利要求1所述的测量静态随机存储器的读取电流的结构，其特 征在于，所述晶体管的栅极、所述晶体管未串联的源/漏端、以及P型阱区均 通过接触孔由金属线连出。4、 一种测量静态随机存储器的读...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡剑，黎坡，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]