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本发明提供一种测量静态随机存储器的读取电流的结构以及方法,用于测量静态随机存储器存储阵列中各个静态随机存储器的读取电流,其中任意一个所述静态随机存储器中的相邻晶体管串联在一起,所述晶体管的栅极连接在一起并构成第一端子,所述晶体管未串联的源/...该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。
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本发明提供一种测量静态随机存储器的读取电流的结构以及方法,用于测量静态随机存储器存储阵列中各个静态随机存储器的读取电流,其中任意一个所述静态随机存储器中的相邻晶体管串联在一起,所述晶体管的栅极连接在一起并构成第一端子,所述晶体管未串联的源/...