晶圆的处理方法和晶圆的处理系统技术方案

本申请提供了一种晶圆的处理方法和晶圆的处理系统。该方法包括：对晶圆进行湿法处理；向晶圆所在的空间中通入惰性气体，以防止晶圆上的水与空间内的气体接触。上述的处理方法中，在对晶圆进行湿法处理之后，向晶圆所在的空间中通入惰性气体，进而使得晶圆所在的空间中的氧气的密度变小，进而使得与晶圆上的水接触的氧气较少，从而使得晶圆的表面上生成的水印较少，并且，该方法中仅仅向晶圆所在的空间中通入惰性气体，该惰性气体不会与该空间中的其他物质反应，不会在晶圆上残留物质，避免了现有技术中的IPA干燥法引入有机物的问题，从而也保证了后续工艺的正常进行，保证了后续形成的结构的性能较好，从而保证了器件具有良好的性能。

Wafer processing method and wafer processing system

【技术实现步骤摘要】
晶圆的处理方法和晶圆的处理系统
本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种晶圆的处理方法和晶圆的处理系统。
技术介绍
水印(Watermark)一直是湿法工艺(WetProcess)存在的问题，在晶圆疏水性差的情况下，晶圆表面的水、晶圆的硅以及空气中的氧气迅速反应极易产生水印。水印会使得器件的接触性能不好，电阻较大。目前，主要通过IPA干燥法来减少水印的产生，该干燥法利用异丙醇和水共溶将晶圆表面的水分迅速去除，从而减少水印的产生。但是，该方法会将一些有机物(比如异丙醇)引入晶圆中，尤其对于具有深孔的晶圆来说，这个问题更加严重，会影响后续的鳍等沉积的均匀性和致密性等，导致器件的性能较差。在
技术介绍
部分中公开的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的
技术介绍
的理解，因此，
技术介绍
中可能包含某些信息，这些信息对于本领域技术人员来说并未形成在本国已知的现有技术。
技术实现思路
本申请的主要目的在于提供一种晶圆的处理方法和晶圆的处理系统，以解决现有技术中IPA干燥法在去除水印的同时引入有机物导致器件的性能较差的问题。...

【技术保护点】
1.一种晶圆的处理方法，其特征在于，包括：/n对晶圆进行湿法处理；/n向所述晶圆所在的空间中通入惰性气体，以防止所述晶圆上的水与所述空间内的气体接触。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶圆的处理方法，其特征在于，包括：
对晶圆进行湿法处理；
向所述晶圆所在的空间中通入惰性气体，以防止所述晶圆上的水与所述空间内的气体接触。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在对晶圆进行湿法处理之后，所述方法还包括：
对所述晶圆进行加热。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在向所述晶圆所在的空间中通入惰性气体之后，所述方法还包括：
对所述晶圆进行加热。


4.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，采用红外光对所述晶圆进行加热。


5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述惰性气体包括氮气。


6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在对所述晶圆进行湿法处理之前，所述方法还包括：
向所述晶圆所在的空间中通入空气。


7.一种晶圆的处理系统，其特征在于，所述处理系统包括：
惰性气体存储设备，用于存储惰性气体；
送风装置，与所述惰性气体存储设备可切断地连通，所述送风装置用于向晶圆所在的空间中通入所述惰性气体，以防...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏余平，顾立勋，徐融，任德营，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42