一种TOPCon电池的氧化硅和掺杂非晶硅的一体式镀膜方法技术

本发明专利技术公开了一种TOPCon电池的氧化硅和掺杂非晶硅的一体式镀膜方法，该发明专利技术为PECVD生长SiO

An integrated coating method of silicon oxide and doped amorphous silicon for TOPCON battery

【技术实现步骤摘要】
一种TOPCon电池的氧化硅和掺杂非晶硅的一体式镀膜方法
本专利技术涉及太阳能电池制备
，特别涉及一种TOPCon电池的氧化硅和掺杂非晶硅的一体式镀膜方法。
技术介绍
近年来TOPCon电池技术量产应用非常迅速，其技术的核心是制取极薄的SiO2薄层和制备掺杂的多晶硅层，目前的行业现状是先制取SiO2再制取非晶硅膜层，然后通过离子注入方式实现非晶硅层掺杂，需要3台设备分3道工序依次进行，最后通过退火形成掺杂的多晶硅(Poly)层，从而导致工艺流程较为复杂，具有设备投入成本高、载具周转复杂且维护周期短等不足。此外，现有工艺过程中，使用等离子沉积(PECVD)制备SiO2时，使用SiH4和O2分开的进气方式进入到反应腔体内部，通过射频电源(RF)激发电离后，两种气体快速反应生成SiO2薄膜，其缺点是，离子源、腔体内部及载板上都容易附着反应产物，伴有掉渣问题产生，需要经常维护，维护成本高，维护周期短。同时，另一种制备掺杂非晶硅方法，即采用物理气相沉积(PVD)，通过在等离子激发氩气生产的氩离子轰击已经掺杂好磷的硅靶，溅射下来的硅磷原子沉积本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种TOPCon电池的氧化硅和掺杂非晶硅的一体式镀膜方法，其特征在于，包括如下步骤：/n(1)首先提供一体式连续镀膜设备，其包括依次一体设置的装载腔、加热腔、PECVD工艺腔、PVD工艺腔、冷却腔及卸载腔，在PECVD工艺腔和PVD工艺腔之间设置有真空的隔离腔；/n(2)在步骤(1)所述的一体式连续镀膜设备中，经过清洗的硅片放置在载板上，载板经过装载腔内装载后进入加热腔，在加热腔内进行硅片和载板加热；/n(3)步骤(2)中经过加热的硅片进入PECVD工艺腔进行SiO

【技术特征摘要】
1.一种TOPCon电池的氧化硅和掺杂非晶硅的一体式镀膜方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)首先提供一体式连续镀膜设备，其包括依次一体设置的装载腔、加热腔、PECVD工艺腔、PVD工艺腔、冷却腔及卸载腔，在PECVD工艺腔和PVD工艺腔之间设置有真空的隔离腔；
(2)在步骤(1)所述的一体式连续镀膜设备中，经过清洗的硅片放置在载板上，载板经过装载腔内装载后进入加热腔，在加热腔内进行硅片和载板加热；
(3)步骤(2)中经过加热的硅片进入PECVD工艺腔进行SiO2薄膜制备；
(4)步骤(3)中经过SiO2镀膜的硅片经过隔离腔后进入到PVD工艺腔进行掺杂非晶硅层镀膜；
(5)步骤(4)中掺杂工艺完成后的硅片经卸载腔将硅片卸到其它载具上，然后经过下道退火工序后形成掺杂的多晶硅膜层。


2.根据权利要求1所述的一种TOPCon电池的氧化硅和掺杂非晶硅的一体式镀膜方法，其特征在于，步骤(2)中，硅片和载板在加热腔内采用多个红外灯管共同加热，或者使用加热板加热，或者采用红外加热和加热板同时加热；加热温度为100～500℃。


3.根据权利要求1所述的一种TOPCon电池的氧化硅和掺杂非晶硅的一体式镀膜方法，其特征在于，步骤(3)中，在PECVD工艺腔内进行SiO2薄膜制备时，离子源从上方通入O2并在RF激发下生成活性氧原子，活性氧原子与硅片表面反应生产SiO2薄膜，然后进入下一步的PVD工艺腔；其中，反应过程中，压强为2～20Pa，沉积温度为200～500℃，功率为10～1000W。


4.根据权利要求1所述的一种TOPCon电池的氧化硅和掺杂非晶硅的一体式镀膜方法，其特征在于，步骤(4)中，在PVD工艺腔内进行掺杂非晶硅层制备时，使用Ar和磷烷的混合气体在磁场中经等离子激发产生氩离子并溅射硅靶材，从而制...

【专利技术属性】
技术研发人员：上官泉元，刘宁杰，
申请(专利权)人：江苏杰太光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32