一种基于金属粉末制备半导体氧化物薄膜的方法技术

一种基于金属粉末制备半导体金属氧化物薄膜的方法，其特征在于：包括前驱液制备和氧化物薄膜制备两个步骤，前驱液制备具体是以金属粉末溶解于双氧水、氨水和去离子水组成的混合液中，充分搅拌溶解12h，再陈化2~4h制得前驱液；氧化物薄膜制备具体是将制备好的前驱液通过旋涂或喷涂方式于基板表面制备湿膜，并通过热退火处理制得金属氧化物薄膜。以较低浓度进行配制前驱液，前驱液可放置长达10天以上不失效；不使用有机溶剂，利于前驱液有效回收；制备的薄膜与基板结合能力强，表面缺陷少，有效利用低浓度前驱液制备出均匀性、致密性优异的金属氧化物薄膜，制备的薄膜使用稳定性好。

A method of preparing semiconductor oxide film based on metal powder

【技术实现步骤摘要】
一种基于金属粉末制备半导体氧化物薄膜的方法
本专利技术涉及一种功能性薄膜的制备方法，具体涉及一种金属粉末制备氧化物薄膜的方法。
技术介绍
目前，在有机聚合物太阳能电池中，半导体金属氧化物薄膜作为界面层相对于导电聚合物在制备成本、器件稳定性方面具有明显的优势，因而越来越受到业界的重视。关于金属氧化物界面层的制备方法主要有如下几种：(1)电沉积法，(2)真空热蒸发法，(3)水热法，(4)水溶金属氧化物纳米颗粒法，(5)溶胶凝胶法。这几种方法中溶胶凝胶法在制备成本和薄膜的均匀性方面具有独特的优势，因而成为主流。溶胶凝胶法是利用金属盐作为金属氧化物的前驱来源，将金属盐溶于有机溶剂或水中，进行复杂的水解、缩合反应，在溶液中形成稳定的透明溶胶体系，溶胶经陈化胶粒间缓慢聚合，形成三维网络结构的凝胶，经过旋涂或喷涂等方式成膜，并通过干燥、退火的方式制备出金属氧化物薄膜结构。但是，随着时代的进步，传统的溶胶凝胶法制备金属氧化物上也暴露不少问题：（1）胶体溶液的制备成本仍然较高，且一旦溶液放置时间过长（如2~3天后），前驱液会逐渐失效，影响其使用性能；（2）前驱液本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于金属粉末制备半导体金属氧化物薄膜的方法，其特征在于：包括前驱液制备和氧化物薄膜制备两个步骤，前驱液制备具体是以金属粉末溶解于双氧水、氨水和去离子水组成的混合液中，充分搅拌溶解12h，再陈化2~4h制得前驱液；氧化物薄膜制备具体是将制备好的前驱液通过旋涂或喷涂方式于基板表面制备湿膜，并通过热退火处理制得金属氧化物薄膜。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于金属粉末制备半导体金属氧化物薄膜的方法，其特征在于：包括前驱液制备和氧化物薄膜制备两个步骤，前驱液制备具体是以金属粉末溶解于双氧水、氨水和去离子水组成的混合液中，充分搅拌溶解12h，再陈化2~4h制得前驱液；氧化物薄膜制备具体是将制备好的前驱液通过旋涂或喷涂方式于基板表面制备湿膜，并通过热退火处理制得金属氧化物薄膜。


2.如权利要求1所述的一种基于金属粉末制备半导体金属氧化物薄膜的方法，其特征在于：所述金属粉末可以是Zn、Cu、Mo、Ag中的一种。


3.如权利要求2所述的一种基于金属粉末制备半导体金属氧化物薄膜的方法，其特征在于：上述混合液是由质量浓度为25~28%氨水、质量浓度为30%的双氧水和去离子水按体积比为0.5~1.5:0.06~0.95:0~0.5配制而成。


4.如权利要求3所述的一种基于金属粉末制备半导体金属氧化物薄膜的方法，其特征在于：上述金属粉末与混合液的质量体积比约为1.5~20mg/ml。


5.如权利要求4所述的一种基于金属粉末制备半导体金属氧化物薄膜的方法，其特征在于：上述搅拌具体...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡荣，柳红东，刘玉荣，
申请(专利权)人：重庆文理学院，
类型：发明
国别省市：重庆;50