【技术实现步骤摘要】
一种沉积多晶硅表面颗粒质量改善方法
本专利技术属于半导体制造
，具体是指一种沉积多晶硅表面颗粒质量改善方法。
技术介绍
多晶硅被使用于互补型金属氧化半导体(CMOS)技术中栅极电极及局部联机接线和电阻，多晶硅因具有良好的热稳定性，与SiO2有良好的接触接口及良好的厚度均匀性而便于沉积及加工。目前，SiH4气体因可以在非晶材料(例如SiO2)上得到较好的阶梯覆盖率而常被用于多晶硅沉积，现有技术中因为H2在低温下会导致SiH4分解为Si与H2造成逆反应降低SiH4的沉积速率，所以常采用N2作为稀释气体或载气。N2作为稀释气体或载气时须在低温下进行反应，可以降低晶圆的热预算，也可以让气体反应完全而得到附着性较佳的薄膜。多晶硅沉积过程中，细微的气体流量、沉积温度、反应压力和掺杂浓度是主要的工艺参数，上述工艺参数的设定影响多晶硅沉积速率及表面均匀度，若工艺参数设置不当极易导致产品报废，未达到报废标准的产品良率也有较大的影响；同时，多晶硅沉积制备过程中每次出现产品报废状况，均需调整机差，从而严重影响机台工作效率，随着产能的增加需要...
【技术保护点】
1.一种沉积多晶硅表面颗粒质量改善方法，其特征在于，具体包括如下步骤：/n步骤一、选用炉管加热装置：所述炉管加热装置包括气瓶及FM21、FM22、FM23、FM24四组气体管线，所述气瓶内装有SiH
【技术特征摘要】
1.一种沉积多晶硅表面颗粒质量改善方法，其特征在于，具体包括如下步骤：
步骤一、选用炉管加热装置：所述炉管加热装置包括气瓶及FM21、FM22、FM23、FM24四组气体管线，所述气瓶内装有SiH4源气体，所述炉管加热装置内设有加热器和底座，所述底座上设有晶舟，所述晶舟上设有晶圆；
步骤二、通入净化气体N2：经FM21、FM22、FM23、FM24四组气体管线通入高纯净度的净化气体N2，净化气体N2作为加热系统的净化清理气体将炉管内的残余的生成物或是残留气体吹拂干净，净化气体N2为SiH4气体进行沉积反应准备条件；
步骤三、多晶硅沉积：将气瓶中SiH4源气体同样通过FM21、FM22、FM23、FM24四组气体管线传输至炉管内部，SiH4经由管线进入到炉管内部后，以5℃/min的速率开始持续加热至沉积温度，施加反应压力，SiH4受热分解并形成多晶硅薄膜沉积在晶舟的晶圆表面上，具体反应式如下：
2.根据权利要求1所述的一种沉积多晶硅表面颗粒质量改善方法，其特征在于，所述多...
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