晶圆清洗方法及半导体器件制作方法技术

本发明专利技术提供了一种晶圆清洗方法及半导体器件制作方法，在同一清洗槽内，先采用酸洗混合溶液来对晶圆表面进行第一次清洗，以去除所述晶圆表面上的大部分光刻掩蔽层，仅剩余一些残余物，再采用漂洗混合溶液对所述晶圆的表面进行第二次清洗，以去除所述残余物，由此，可以一步清洗方式来替代现有的多种多步的清洗方式，简化去胶工艺，降低成本，缩短工艺周期，并避免造成去胶残留。且两次清洗之间具有换液冲洗时间，所述换液冲洗时间小于所述第一清洗的时间且大于所述第二清洗的时间，以提高第二清洗的效果。本发明专利技术的技术方案适用于硬掩膜层刻蚀、离子注入、栅极刻蚀、接触孔刻蚀、金属互连层等各种需要光刻掩膜的制程。

Wafer cleaning method and semiconductor device manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
晶圆清洗方法及半导体器件制作方法
本专利技术涉及半导体生产制造
，特别涉及一种晶圆清洗方法及半导体器件制作方法。
技术介绍
光刻技术是集成电路制造中利用光学-化学反应原理和化学、物理刻蚀方法，将电路图形传递到半导体晶圆表面或介质层上，形成有效图形窗口或功能图形的工艺技术。随着半导体技术的发展，光刻技术传递图形的关键尺寸逐渐缩小，对于图形精度和均匀性以及套准精度的要求越来越严格，半导体制造业对于关键层次的图形的关键尺寸的控制精度要求在3％～10％左右。在光刻尺寸精度、套准精度或光阻形貌超出容许范围时，半导体晶圆就必须进行光刻返工(rework)处理流程。返工的目的是去除光刻时的光刻掩蔽层，对半导体晶圆表面清理，使其具备第二次光刻的条件。目前现有的光刻去胶返工工艺，最常见采用的是先干法灰化去胶，然后再湿化学法去胶的方式，而且会根据不同类型/组合的光刻掩蔽层来选用不同的去胶流程(reworkflow)，其中采用的化学试剂有多种且需要转移处理室，即这些去胶流程均为多种多步的方式，工艺周期(processcycletime)较长，成本较高，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆清洗方法，其特征在于，包括：/n提供一晶圆，所述晶圆上形成有待去除的光刻掩蔽层；/n在一清洗槽中，利用酸洗混合溶液对所述晶圆表面进行第一清洗，以去除所述光刻掩蔽层；/n在所述清洗槽中，利用漂洗混合溶液对所述晶圆表面进行第二清洗，以清除所述第一清洗后的残余物，所述第一清洗和第二清洗之间具有换液冲洗的过程，所述换液冲洗的时间小于所述第一清洗的时间及所述第二清洗的时间，且所述第一清洗的时间与所述第二清洗的时间不同。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶圆清洗方法，其特征在于，包括：
提供一晶圆，所述晶圆上形成有待去除的光刻掩蔽层；
在一清洗槽中，利用酸洗混合溶液对所述晶圆表面进行第一清洗，以去除所述光刻掩蔽层；
在所述清洗槽中，利用漂洗混合溶液对所述晶圆表面进行第二清洗，以清除所述第一清洗后的残余物，所述第一清洗和第二清洗之间具有换液冲洗的过程，所述换液冲洗的时间小于所述第一清洗的时间及所述第二清洗的时间，且所述第一清洗的时间与所述第二清洗的时间不同。


2.如权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述酸洗混合溶液的温度为100℃～120℃，所述第一清洗的时间为3至5分钟。


3.如权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述漂洗混合溶液的温度为70℃～90℃，所述第二清洗的时间为3至5分钟。


4.如权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述换液冲洗的时间为2至3分钟。


5.如权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述光刻掩蔽层包括抗反射层和光刻胶层的组合，或者，所述光刻掩蔽层包括抗反射层。


6.如权利要求5所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述抗反射层中的硅含量为40％以上。


7.如权利要求5所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述光刻掩蔽层还包括形成于所述晶圆的表面和所述抗反射层之间的旋涂碳层。


8.如权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，采用所述酸洗混合溶液对所述晶圆进行第一清洗的步骤包括：
第一阶段，使得向所...

【专利技术属性】
技术研发人员：章杏，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34