一种提高边抛大直径硅片表面洁净度的清洗工艺制造技术

本发明专利技术提供一种提高边抛大直径硅片表面洁净度的清洗工艺，包括以下步骤，对硅片进行碱溶液清洗；对硅片进行第一纯水清洗，去除硅片表面的碱溶液；对硅片进行酸溶液清洗；对硅片进行第二纯水清洗，去除硅片表面的酸溶液；对硅片进行第三纯水清洗；对硅片进行慢提拉、烘干。本发明专利技术的有益效果是用于对大直径硅片边抛后清洗，采用碱洗和酸洗，去除硅片表面的颗粒杂质和金属离子，保证硅片表面的清洁度，降低清洗成本。

A cleaning process for improving the surface cleanliness of large diameter wafers

【技术实现步骤摘要】
一种提高边抛大直径硅片表面洁净度的清洗工艺
本专利技术属于硅片生产
，尤其是涉及一种提高边抛大直径硅片表面洁净度的清洗工艺。
技术介绍
边抛是对硅片进行全局平坦化的最有效的方法，在化学机械抛光后，硅片表面杂质及金属离子残留比较多，需要对硅片进行清洗。但随着硅片尺寸的增大，按照目前清洗方式，脏片比例上升。虽然，采用延长清洗的时间、加大药液的用量、增加溢流量可以达到清洗目的，但成本会上升。
技术实现思路
鉴于上述问题，本专利技术要解决的问题是提供一种提高边抛大直径硅片表面洁净度的清洗工艺，用于对大直径硅片边抛后清洗，采用碱洗和酸洗，去除硅片表面的颗粒杂质和金属离子，保证硅片表面的清洁度，降低清洗成本。为解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案是：一种提高边抛大直径硅片表面洁净度的清洗工艺，包括以下步骤，对硅片进行碱溶液清洗；对硅片进行第一纯水清洗，去除硅片表面的碱溶液；对硅片进行酸溶液清洗；对硅片进行第二纯水清洗，去除硅片表面的酸溶液；对硅片进行第三纯水清洗；对硅片本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种提高边抛大直径硅片表面洁净度的清洗工艺，其特征在于：包括以下步骤，/n对硅片进行碱溶液清洗；/n对所述硅片进行第一纯水清洗，去除硅片表面的碱溶液；/n对所述硅片进行酸溶液清洗；/n对所述硅片进行第二纯水清洗，去除硅片表面的酸溶液；/n对所述硅片进行第三纯水清洗；/n对所述硅片进行慢提拉、烘干。/n

【技术特征摘要】
1.一种提高边抛大直径硅片表面洁净度的清洗工艺，其特征在于：包括以下步骤，
对硅片进行碱溶液清洗；
对所述硅片进行第一纯水清洗，去除硅片表面的碱溶液；
对所述硅片进行酸溶液清洗；
对所述硅片进行第二纯水清洗，去除硅片表面的酸溶液；
对所述硅片进行第三纯水清洗；
对所述硅片进行慢提拉、烘干。


2.根据权利要求1所述的提高边抛大直径硅片表面洁净度的清洗工艺，其特征在于：所述对硅片进行碱溶液清洗中，采用所述碱溶液对所述硅片进行超声清洗，清洗时间为250-350s，所述碱溶液温度为50-70℃。


3.根据权利要求2所述的提高边抛大直径硅片表面洁净度的清洗工艺，其特征在于：所述对硅片进行碱溶液清洗中，所述碱溶液为氨水与双氧水混合溶液，所述氨水与所述双氧水的体积比为1：2，所述氨水为质量分数44％-46％溶液。


4.根据权利要求3所述的提高边抛大直径硅片表面洁净度的清洗工艺，其特征在于：所述对硅片进行酸溶液清洗中，清洗时间为250-350s，所述酸溶液温度为40-50℃。


5.根据权利要求4...

【专利技术属性】
技术研发人员：武卫，张宏杰，孙晨光，刘建伟，由佰玲，刘园，常雪岩，谢艳，杨春雪，刘秒，裴坤羽，祝斌，刘姣龙，王彦君，吕莹，徐荣清，
申请(专利权)人：天津中环领先材料技术有限公司，中环领先半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：天津;12